Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V
Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

Großes Bild :  Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP50N10P
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Modell: AP50N10P
Satz: TO-220-3L Markierung: AP50P10P XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Schalten Sie Modus-Stromversorgung SMPS Mosfet-Leistungstransistor 50A 100V

 

Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:

 

Die moderne Grabentechnologie AP50N10P-Gebrauches
zu ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen und
Operation mit den Torspannungen so niedrig wie 4.5V. Dieses
Gerät ist für Gebrauch als a passend
Batterieschutz oder in anderer Schaltungsanwendung.

 

Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften

 

VDS = 100V IDENTIFIKATION =50 A
RDS (AN) < 22m="">

 

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP50P10P TO-220-3L AP50P10P XXX YYYY 1000

 

Absolute Maximalleistungen (TC=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 100 V
VGS Tor-Sou rce Spannung ±20 V
ID@TC =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 50 A
℃ ID@TC =100 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 37 A
IDM Pulsierter Abfluss Current2 130 A
EAS Einzelimpuls-Lawinen-Energie 3 84 mJ
IAS Lawinen-Strom 41 A
℃ PD@TC =25 Gesamtleistung Dissipation4 149 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 62 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 0,84 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften (T J =25℃, wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=30A --- --- 22
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VGS=VDS, I =250UA 2,5 --- 4,5 V

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

MA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=30A --- 31 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,9 3,8 Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 27,6 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 11,4 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 7,9 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,5 ---  
Tr Anstiegszeit --- 35 ---
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 17,5 ---
Tf Abfallzeit --- 12 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 1890 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 268 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 67 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5

 

VG=VD=0V, Kraft-Strom

--- --- 58 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 130 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

 

IF=30A, dI/dt=100A/µs,

--- 22 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 20 --- nC
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=30A --- --- 22
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VGS=VDS, I =250UA 2,5 --- 4,5 V

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

MA

VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=30A --- 31 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,9 3,8 Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 27,6 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 11,4 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 7,9 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

--- 16,5 ---  
Tr Anstiegszeit --- 35 ---
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 17,5 ---
Tf Abfallzeit --- 12 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 1890 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 268 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 67 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5

 

VG=VD=0V, Kraft-Strom

--- --- 58 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 130 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

 

IF=30A, dI/dt=100A/µs,

--- 22 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 20 --- nC

 

Anmerkung:

Daten 1.The prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.

Daten 2.The prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%

Daten 3.The EAS zeigen max. Bewertung. Die Testbedingung ist VDS=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =41A

Verlustleistung 4.The wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

Daten 5.The sind theoretisch die selben, die IDand IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollte.

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!