Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher
Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

Großes Bild :  Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP8810TS
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

Beschreibung
Produkt-Name: Mosfet-Netzschalter Modell: AP8810TS
Satz: TSSOP-8 Markierung: AP8810E XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 20V VGSGate-Source Spannung: ±12V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Multi Funktionsstrom Mosfet-Schalter des mosfet-Netzschalter-/AP8810TS hoher

 

Allgemeine Beschreibung:

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor werden in vielen Anwendungen der Stromversorgung und der Generalvollmacht, besonders als Schalter benutzt. Variante s umfassen planare MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs und andere verschiedene Markennamen.

 

Allgemeine Eigenschaften

 

VDS = 20V, IDENTIFIKATION = 7A
Bewertung RDS (AN < 28m=""> ) RDS (AN < 26m=""> ) RDS (AN < 22m=""> ) RDS (AN < 20m=""> ) ESD: 2000V HBM

 

Anwendung

 

Batterieschutz
Lastsschalter Energiemanagement

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP8810TS TSSOP-8 AP8810E XXX YYYY 5000

 

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TA=25 wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Parameter Symbol Grenze Einheit
Abfluss-Quellspannung VDS 20 V
Tor-Quellspannung VGS ±12 V

 

Lassen Sie Current-Continuous@ Gegenwärtig-pulsierte ab (Anmerkung 1)

Identifikation 7 A
IDM 25 A
Höchstleistungs-Ableitung PD 1,5 W
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich T J, T STG -55 bis 150
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) RθJA 83 ℃/W
Parameter Symbol Grenze Einheit
Abfluss-Quellspannung VDS 20 V
Tor-Quellspannung VGS ±12 V

 

Lassen Sie Current-Continuous@ Gegenwärtig-pulsierte ab (Anmerkung 1)

Identifikation 7 A
IDM 25 A
Höchstleistungs-Ableitung PD 1,5 W
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich T J, T STG -55 bis 150
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) RθJA 83 ℃/W

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TA=25 wenn nicht anders vermerkt)

 

Parameter Symbol Bedingung Minute Art Maximal Einheit
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung BV DSS V μA GS=0V ID=250 20     V
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Tor-Körper-Durchsickern-Strom

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 Na
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 MA
Tor-Schwellen-Spannung V GS (Th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Abfluss-Quelldurchlasswiderstand

 

RDS (AN)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 m-Ω
V GS=4V, ID=6A   16 22 m-Ω
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 m-Ω
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 m-Ω
Vorwärtstransconductance gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Input-Kapazitanz Clss     650   PF
Ausgangskapazität Coss   360   PF
Rückübergangskapazitanz Crss   154   PF
Einschaltverzögerungs-Zeit TD (an)     11 22 nS
Drehung-auf Anstiegszeit

r

t

  12 28 nS
Abschaltverzögerungs-Zeit TD (weg)   35 73 nS
Drehungs--Wegabfallzeit

f

t

  33 65 nS
Gesamttor-Gebühr Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Tor-Quellgebühr Qgs   2,5   nC
Tor-Abfluss-Gebühr Qgd   3,2   nC
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V
Parameter Symbol Bedingung Minute Art Maximal Einheit
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung BV DSS V μA GS=0V ID=250 20     V
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Tor-Körper-Durchsickern-Strom

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 Na
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 MA
Tor-Schwellen-Spannung V GS (Th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Abfluss-Quelldurchlasswiderstand

 

RDS (AN)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 m-Ω
V GS=4V, ID=6A   16 22 m-Ω
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 m-Ω
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 m-Ω
Vorwärtstransconductance gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Input-Kapazitanz Clss     650   PF
Ausgangskapazität Coss   360   PF
Rückübergangskapazitanz Crss   154   PF
Einschaltverzögerungs-Zeit TD (an)     11 22 nS
Drehung-auf Anstiegszeit

r

t

  12 28 nS
Abschaltverzögerungs-Zeit TD (weg)   35 73 nS
Drehungs--Wegabfallzeit

f

t

  33 65 nS
Gesamttor-Gebühr Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Tor-Quellgebühr Qgs   2,5   nC
Tor-Abfluss-Gebühr Qgd   3,2   nC
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V

 

ANMERKUNGEN:

1. sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.

2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek.

3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300 μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.

4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktionsprüfung.

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!