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Produktdetails:
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Modellnummer: | AP2302AGN-HF | RoHs-Status:: | Bleifrei/RoHS konform |
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Qualität:: | 100% ursprüngliches neues | D/C:: | Am neuesten |
Beschreibung: | AP2302AGN-HF APEC | Art:: | IC |
Markieren: | 1.38W Leistungstransistor IC,20A Leistungstransistor IC,AP2302AGN-HF APEC Mosfet-Transistor |
Fachkundiges heißes IC AP2302AGN-HF APEC AP2302AGN-HF
Beschreibung
AP2302A-Reihen sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen auf- Widerstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
Das spezielle Paket des Entwurfs SOT-23 mit guter thermischer Leistung wird weit für alle Handels-industriellen Oberflächenberganwendungen unter Verwendung der Infrarotrückfluttechnik bevorzugt und entsprochen für Spannungsumwandlungs- oder -schalteranwendungen.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 4,6 | |
ID@TA =70℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 3,7 | |
IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 20 | |
PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 1,38 | W |
TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 90 | ℃/W |
AP2302AGN-H
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (AN) |
Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 |
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =4A | - | - | 42 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =3A | - | - | 60 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,3 | - | 1,2 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =4A | - | 14 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Gesamttor-Gebühr2 |
IDENTIFIKATION =4A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 6,5 | 10,5 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 1 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 2,5 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit2 |
VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 9 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 12 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 16 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 300 | 480 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 85 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 80 | - | PF | |
Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
Quelle-Abfluss-Diode
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
trr | Rückgenesungszeit2 |
IST =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 10 | - | nC |
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte an 1 in kupferne Auflage2 FR4 des Brettes, t<> 10s an; 270℃/W, als an der min. kupfernen Auflage anbrachte.
Zahlung:
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Ansprechpartner: David