Produktdetails:
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Teilnummer: | AP1334GEU-HF | Vorbereitungs- und Anlaufzeit: | Auf Lager |
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Rosh: | Ja | Bedingung: | Neu |
Probe:: | Unterstützung | Art:: | Die gleichen Datenblätter |
Markieren: | Leistungstransistor Mosfet-8A,Leistungstransistor Mosfet-0.35W,AP1334GEU-HF Energie-Schalttransistor |
Vorteilspreis des elektronischen Bauelements AP1334GEU-HF für Stammaktie
Beschreibung
Reihen AP1334 sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen auf- Widerstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC. (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 2,1 | |
ID@TA =70℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 1,7 | |
IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 8 | |
PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 0,35 | W |
TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 360 | ℃/W |
AP1334GEU-H
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =2A | - | - | 65 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =1.5A | - | - | 75 | mΩ | ||
VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =1A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,3 | - | 1 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =2A | - | 12 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | MA |
Qg | Gesamttor-Gebühr |
Identifikation =2A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 9 | 14,4 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 1 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 2,5 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 6 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 7 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 18 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 3 | - | ns | |
Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 570 | 912 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 70 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 60 | - | PF | |
Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 2,4 | 4,8 | Ω |
Quelle-Abfluss-Diode
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
trr | Rückgenesungszeit |
IST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 14 | - | ns |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 7 | - | nC |
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte FR4 am Brett, t-≦ 10 sek an.
Unsere Vorteile:
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