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AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand

AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand
AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand

Großes Bild :  AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP1334GEU-HF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verkäuflich
Preis: Negotiate
Verpackung Informationen: KARTON-KASTEN
Lieferzeit: Woche 4~5
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, L/C
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10,000/Month

AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet-Leistungstransistor-neue Zustand

Beschreibung
Teilnummer: AP1334GEU-HF Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Auf Lager
Rosh: Ja Bedingung: Neu
Probe:: Unterstützung Art:: Die gleichen Datenblätter
Markieren:

Leistungstransistor Mosfet-8A

,

Leistungstransistor Mosfet-0.35W

,

AP1334GEU-HF Energie-Schalttransistor

Vorteilspreis des elektronischen Bauelements AP1334GEU-HF für Stammaktie

 

Beschreibung

 

Reihen AP1334 sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen auf- Widerstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
 

Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC. (wenn nicht anders angegeben)

 

Symbol Parameter Bewertung Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 20 V
VGS Tor-Quellspannung +8 V
ID@TA =25℃ Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab 2,1
ID@TA =70℃ Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab 1,7
IDM Pulsierter Abfluss-Strom1 8
PD@TA =25℃ Gesamtleistungs-Ableitung 0,35 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150

 

Thermische Daten

 

Symbol Parameter Wert Einheit
Rthj-a Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 360 ℃/W

 

AP1334GEU-H

 

Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Art. Maximum. Einheiten
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA 20 - - V
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =2A - - 65
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =1.5A - - 75
VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =1A - - 85
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA 0,3 - 1 V
gfs Vorwärtstransconductance VDS =5V, IDENTIFIKATION =2A - 12 - S
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS =16V, VGS =0V - - 10 MA
IGSS Tor-Quelldurchsickern VGS =+8V, VDS =0V - - +30 MA
Qg Gesamttor-Gebühr

Identifikation =2A

VDS =10V VGS =4.5V

- 9 14,4 nC
Qgs Tor-Quellgebühr - 1 - nC
Qgd Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) - 2,5 - nC
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω

VGS =5V

- 6 - ns
tr Anstiegszeit - 7 - ns
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit - 18 - ns
tf Abfallzeit - 3 - ns
Ciss Eingegebene Kapazitanz

VG.S =0V VDS =10V

f=1.0MHz

- 570 912 PF
Coss Ausgangskapazität - 70 - PF
Crss Rückübergangskapazitanz - 60 - PF
Rg Tor-Widerstand f=1.0MHz - 2,4 4,8 Ω

 

Quelle-Abfluss-Diode

 

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Art. Maximum. Einheiten
VSD Schicken Sie auf Spannung2 nach IST =1.2A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

IST =2A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 14 - ns
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr - 7 - nC

 

Anmerkungen:

 

Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse

3.Surface brachte FR4 am Brett, t-≦ 10 sek an.
 

Unsere Vorteile:

 

Wir haben das Berufsteam, zum Sie, Berufs-ERP-Auftragssystem, WSM-Speichersystem, Unterstützung online kaufend, Zitat der Unterstützungs BOM zu dienen,

alle Einzelteile sind mit gutem Preis und hoher Qualität.

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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