Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter

AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter
AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter

Großes Bild :  AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP2322GN
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verkäuflich
Preis: Negotiate
Verpackung Informationen: KARTON-KASTEN
Lieferzeit: Woche 4~5
Zahlungsbedingungen: L/C T/T WESTERN UNION
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10,000/Month

AP2322GN-LOGIK ICS 0.833W 10A MOSFET-Netzschalter

Beschreibung
Vorbildliches Number:: AP2322GN Markenname:: ursprünglich
Zustand:: Ursprüngliches neues Art:: LOGIK ICS
Vorbereitungs- und Anlaufzeit: Auf Lager D/C:: Am neuesten
Markieren:

Netzschalter MOSFET-10A

,

Netzschalter MOSFET-0.833W

,

AP2322GN MOSFET-Leistungstransistor

Bricht ursprünglicher universeller Schalter IC AP2322GN Energie-Transistor/MOSFET/Power ab

 

Dieses Produkt ist für elektrostatische Entladung, behandeln bitte sorgfältig empfindlich.

 

Dieses Produkt wird nicht autorisiert, als kritische Komponente eines Systems der lebenserhaltenden Maßnahmen oder anderer ähnlicher Systeme benutzt zu werden.

 

APEC ist nicht für irgendeine Haftung verantwortlich, die aus der Anwendung sich ergibt, oder Gebrauch von jedem möglichem Produkt oder Stromkreis beschrieb in dieser Vereinbarung, noch weist er irgendeine Lizenz unter seinen Patentrechten zu oder weist die Rechte von anderen zu.

 

APEC behält sich das Recht vor, Änderungen an jedem möglichem Produkt in dieser Vereinbarung ohne vorherige Ankündigung vorzunehmen, Zuverlässigkeit, Funktion oder Entwurf zu verbessern.

 

Beschreibung

 

Moderne Energie MOSFETs verwendeten moderne Verfahrenstechniken, um den niedrigsten möglichen Aufwiderstand, extrem leistungsfähig und Wirtschaftlichkeitsgerät zu erzielen.

Das SOT-23S Paket wird weit für Handels-industrielle Oberflächenberganwendungen bevorzugt und entsprochen für Niederspannungsanwendungen wie DC-/DCkonverter.

 

Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)

 

Symbol Parameter Bewertung Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 20 V
VGS Tor-Quellspannung +8 V
ID@TA =25℃ Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab 2,5
ID@TA =70℃ Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab 2,0
IDM Pulsierter Abfluss-Strom1 10
PD@TA =25℃ Gesamtleistungs-Ableitung 0,833 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150

 

Thermische Daten

 

Symbol Parameter Wert Einheit
Rthj-a Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 150 ℃/W

 

AP2322G

 

Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Art. Maximum. Einheiten
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA 20 - - V
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =1.6A - - 90 mΩ
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =1A - - 120 mΩ
VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =0.3A - - 150 mΩ
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VDS =VGS, IDENTIFIKATION =1MA 0,25 - 1 V
gfs Vorwärtstransconductance VDS =5V, IDENTIFIKATION =2A - 2 - S
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS =20V, VGS =0V - - 1 MA
IGSS Tor-Quelldurchsickern VGS =+8V, VDS =0V - - +100 Na
Qg Gesamttor-Gebühr

Identifikation =2.2A

VDS =16V VGS =4.5V

- 7 11 nC
Qgs Tor-Quellgebühr - 0,7 - nC
Qgd Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) - 2,5 - nC
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω

VGS =5V

- 6 - ns
tr Anstiegszeit - 12 - ns
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit - 16 - ns
tf Abfallzeit - 4 - ns
Ciss Eingegebene Kapazitanz

V.GS=0V VDS =20V

f=1.0MHz

- 350 560 PF
Coss Ausgangskapazität - 55 - PF
Crss Rückübergangskapazitanz - 48 - PF
Rg Tor-Widerstand f=1.0MHz - 3,2 4,8 Ω

 

Quelle-Abfluss-Diode

 

Symbol Parameter Testbedingungen Min. Art. Maximum. Einheiten
VSD Schicken Sie auf Spannung2 nach IST =0.7A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

IST =2A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - ns
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr - 13 - nC

 

Anmerkungen:

 

Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.

Test 2.Pulse

3.Surface brachte an 1 in kupferne Auflage2 FR4 des Brettes, t<> 10sec an; 360 ℃/W, wenn Sie an der Min.-Kupferauflage angebracht werden.

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!