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Produktdetails:
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Vorbildliches Number:: | AP2322GN | Markenname:: | ursprünglich |
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Zustand:: | Ursprüngliches neues | Art:: | LOGIK ICS |
Vorbereitungs- und Anlaufzeit: | Auf Lager | D/C:: | Am neuesten |
Markieren: | Netzschalter MOSFET-10A,Netzschalter MOSFET-0.833W,AP2322GN MOSFET-Leistungstransistor |
ab
Dieses Produkt ist für elektrostatische Entladung, behandeln bitte sorgfältig empfindlich.
Dieses Produkt wird nicht autorisiert, als kritische Komponente eines Systems der lebenserhaltenden Maßnahmen oder anderer ähnlicher Systeme benutzt zu werden.
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APEC behält sich das Recht vor, Änderungen an jedem möglichem Produkt in dieser Vereinbarung ohne vorherige Ankündigung vorzunehmen, Zuverlässigkeit, Funktion oder Entwurf zu verbessern.
Beschreibung
Moderne Energie MOSFETs verwendeten moderne Verfahrenstechniken, um den niedrigsten möglichen Aufwiderstand, extrem leistungsfähig und Wirtschaftlichkeitsgerät zu erzielen.
Das SOT-23S Paket wird weit für Handels-industrielle Oberflächenberganwendungen bevorzugt und entsprochen für Niederspannungsanwendungen wie DC-/DCkonverter.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 2,5 | |
ID@TA =70℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 2,0 | |
IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 10 | |
PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 0,833 | W |
TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 150 | ℃/W |
AP2322G
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =1MA | 0,25 | - | 1 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =2A | - | 2 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Gesamttor-Gebühr |
Identifikation =2.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 7 | 11 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 0,7 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 2,5 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 6 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 12 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 16 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 4 | - | ns | |
Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 350 | 560 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 55 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 48 | - | PF | |
Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 3,2 | 4,8 | Ω |
Quelle-Abfluss-Diode
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =0.7A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
trr | Rückgenesungszeit |
IST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 13 | - | nC |
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte an 1 in kupferne Auflage2 FR4 des Brettes, t<> 10sec an; 360 ℃/W, wenn Sie an der Min.-Kupferauflage angebracht werden.
Ansprechpartner: David