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Produktdetails:
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| Vorbildliches Number:: | AP2N1K2EN1 | Lieferanten-Art: | Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzelhändler |
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| Markenname:: | Ursprüngliche Marke | Paket-Art: | SOT-723 (N1) |
| D/c: | Am neuesten | Beschreibung:: | Transistor |
| Markieren: | Transistor MOSFET-800mA,Transistor MOSFET-0.15W,AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor |
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Ursprüngliches elektronisches Bauelement MOSFET-Transistor-AP2N1K2EN1/IC bricht ab
Beschreibung
AP2N1K2E-Reihen sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen Aufwiderstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
Das Paket SOT-723 mit sehr kleinem Abdruck ist für alle Handels-industrielle Oberflächenberganwendung passend.
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte an der Min.-Kupferauflage des Brettes FR4 an
Dieses Produkt ist für elektrostatische Entladung, behandeln bitte sorgfältig empfindlich.
Dieses Produkt wird nicht autorisiert, als kritische Komponente eines Systems der lebenserhaltenden Maßnahmen oder anderer ähnlicher Systeme benutzt zu werden.
APEC ist nicht für irgendeine Haftung verantwortlich, die aus der Anwendung sich ergibt, oder Gebrauch von jedem möglichem Produkt oder Stromkreis beschrieb in dieser Vereinbarung, noch weist er irgendeine Lizenz unter seinen Patentrechten zu oder weist die Rechte von anderen zu.
APEC behält sich das Recht vor, Änderungen an jedem möglichem Produkt in dieser Vereinbarung ohne vorherige Ankündigung vorzunehmen, Zuverlässigkeit, Funktion oder Entwurf zu verbessern.
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 2.5V ab | 200 | MA |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 400 | MA |
| IS@TA =25℃ | Quellstrom (Körper-Diode) | 125 | MA |
| THEORIE | Pulsierter Quellstrom1 (Körper-Diode) | 800 | MA |
| PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 0,15 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 833 | ℃/W |
AP2N1K2EN
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =200MA | - | - | 1,2 | Ω |
| VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =200MA | - | - | 1,4 | Ω | ||
| VGS =1.5V, IDENTIFIKATION =40MA | - | - | 2,4 | Ω | ||
| VGS =1.2V, IDENTIFIKATION =20MA | - | - | 4,8 | Ω | ||
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =1MA | 0,3 | - | 1 | V |
| gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =10V, IDENTIFIKATION =200MA | - | 1,8 | - | S |
| IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | MA |
| Qg | Gesamttor-Gebühr |
IDENTIFIKATION =200MA VDS =10V VGS =2.5V |
- | 0,7 | - | nC |
| Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 0,2 | - | nC | |
| Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 0,2 | - | nC | |
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit | VDS =10V | - | 2 | - | ns |
| tr | Anstiegszeit | Identifikation =150mA | - | 10 | - | ns |
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | RG =10Ω | - | 30 | - | ns |
| tf | Abfallzeit | .VGS =5V | - | 16 | - | ns |
| Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | PF |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 14 | - | PF | |
| Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 10 | - | PF |
Quelle-Abfluss-Diode
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =0.13A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Ansprechpartner: David
