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Produktdetails:
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| Vorbildliches Number:: | AP1332GEU-HF | Art:: | Elektronische Bauelemente |
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| Diode:: | Transistor | IGBT-Modul:: | Hochfrequenzrohr |
| Induktor:: | LED | D/C:: | Am neuesten |
| Markieren: | Leistungstransistor Mosfet-2.5A,Leistungstransistor Mosfet-0.35W,AP1332GEU-HF Diode Mosfet-Transistor |
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Billiger Fabrikpreis AP1332GEU-HF treten bitte mit dem Geschäft, ist am gleichen Tag vorherrscht in Verbindung
Beschreibung
Reihen AP1332 sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen auf- Widerstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse.
3.Surface brachte FR4 am Brett, t-≦ 10 sek an.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25.oC (wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheit |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 600 | MA |
| ID@TA =70℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 470 | MA |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 2,5 | |
| PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 0,35 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 360 | ℃/W |
AP1332GEU-H
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =600MA | - | - | 0,6 | Ω |
| VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =300MA | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =600MA | - | 1 | - | S |
| IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | MA |
| Qg | Gesamttor-Gebühr |
IDENTIFIKATION =600MA VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,3 | 2 | nC |
| Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 0,3 | - | nC | |
| Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 0,5 | - | nC | |
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDS =10V IDENTIFIKATION =600MA RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 21 | - | ns |
| tr | Anstiegszeit | - | 53 | - | ns | |
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 100 | - | ns | |
| tf | Abfallzeit | - | 125 | - | ns | |
| Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VGS =0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | PF |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 12 | - | PF |
Quelle-Abfluss-Diode
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =300MA, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
[Verschiffen]
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Ansprechpartner: David
