Startseite ProdukteHalbleiter-Triode

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand

Großes Bild :  Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: TIP110
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent TIP110 auf Widerstand

Beschreibung
Merkmal: Industrielle Nutzung Produkt Identifikation: TIP110
Emitter-Basis Spannung: 5V Kollektorstrom - ununterbrochen: 2A
Markieren:

Triode der elektronischen Bauelemente

,

Halbleiterschalter

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren TIP110 DARLINGTON TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

 

EIGENSCHAFT
 
  • Hohe Gleichstromverstärkung: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (min.)
  • Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
  • Industrieller Gebrauch

 

AXIMUM-BEWERTUNGEN (Ta =25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 
Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 60 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 60 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 2 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55 bis +150

 

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=10mA, D.H. =0 60     V
Kollektor-Emitter Stützungsspannung VCEO (Sus) IC=30mA, IB=0 60     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =10MA, IC=0 5     V
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=30V, IB=0     2 MA
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=60V, D.H. =0     1 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0     2 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000      
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=2A, IB=8mA     2,5 V
Grundsenderspannung VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
KollektorAusgangskapazität Pfeiler VCB=10V, D.H. =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

 

TO-220-3L Paket-Entwurfs-Maße

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 ART 0,100 ART
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren TIP42/42A/42B/42C TRANSISTOR ein (PNP)

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!