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TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern

TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern
TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern

Großes Bild :  TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: TIP117
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

TIP117 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-niedriges Durchsickern

Beschreibung
Typ: Halbleiter-Triode Energie Mosfet-Transistor: TO-220-3L Plastik - eingekapselt
Produkt Identifikation: TIP117 Merkmal: Hohe Gleichstromverstärkung
Kollektorstrom: -2A Kollektorverlustleistung: 2w
Markieren:

Triode der elektronischen Bauelemente

,

Halbleiterschalter

TO-220-3L Plastik - eingekapselter Transistoren TIP117 DARLINGTON TRANSISTOR (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
  •  Hohe Gleichstromverstärkung
  •  Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
  • Ergänzend zu TIP112
 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -100 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -100 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom -2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 2 W
RθJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 63 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-1mA, D.H. =0 -100     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung V (BR) CEO* IC=-30mA, IB=0 -100     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-5MA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-100V, D.H. =0     -1 MA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-50V, IB=0     -2 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-5V, IC=0     -2 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=-4V, IC=-1A 1000   12000  
  hFE (2) VCE=-4V, IC=-2A 500      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-2A, IB=-8mA     -2,5 V
Grundsenderspannung VBE VCE=-4V, IC=-2A     -2,8 V
KollektorAusgangskapazität Pfeiler VCB=-10V, D.H. =0, f=0.1MHz     200 PF

 

 

TO-220-3L Paket-Entwurfs-Maße

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 ART 0,100 ART
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren TIP42/42A/42B/42C TRANSISTOR ein (PNP)

 

 


 

Kontaktdaten
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