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Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik
Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Großes Bild :  Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: FMMT591
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Beschreibung
VCBO-Kollektor-Basis-Spannung: -80 V Produktname: Halbleiter-Triode
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Energie mosfet-Transistoren

SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren FMMT591 TRANSISTOR ein (PNP)
 

EIGENSCHAFT
 

Niedriger gleichwertiger Aufwiderstand

 

Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 0

Markierung: 591

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 

SymbolParameterWertEinheit
VCBOKollektor-Basis-Spannung-80V
VCEOKollektor-Emitter-Spannung-60V
VEBOEmitter-Basis-Spannung-5V
ICKollektorstrom-1A
ICMHöchstimpuls-Strom-2A
PCKollektor-Verlustleistung250mW
RΘJAThermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem500℃/W
TjGrenzschichttemperatur150
TstgLagertemperatur-55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

ParameterSymbolTestbedingungenMinuteArtMaximalEinheit
Kollektor-Basis DurchbruchsspannungV (BR) CBOIC=-100μA, D.H. =0-80  V
Kollektor-Emitter DurchbruchsspannungCEO V (BR)1IC=-10mA, IB=0-60  V
Emitter-BasisDurchbruchsspannungV (BR) EBOD.H. =-100ΜA, IC=0-5  V
KollektorsperrstromICBOVCB=-60V, D.H. =0  -0,1μA
EmittersperrstromIEBOVEB=-4V, IC=0  -0,1μA

 
 
 

Gleichstromverstärkung

hFE (1)VCE=-5V, IC=-1mA100   
 hFE (2) 1VCE=-5V, IC=-500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=-5V, IC=-1A80   
 hFE (4) 1VCE=-5V, IC=-2A15   

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (gesessen) 1 1IC=-500mA, IB=-50mA  -0,3V
 VCE (gesessen) 2 1IC=-1A, IB=-100mA  -0,6V
GrundsendersättigungsspannungVBE (gesessen) 1IC=-1A, IB=-100mA  -1,2V
Grundsenderspannung

1

VBE

VCE=-5V, IC=-1A  -1V
ÜbergangsfrequenzfTVCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz150  MHZ
KollektorAusgangskapazitätPfeilerVCB=-10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Gemessen unter pulsierten Bedingungen, Impuls width=300μs, Aufgabe cycle≤2%.
 
 
 
Typisches Characterisitics 
 
 Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 1

Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 2

Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 3Eingekapselte Transistoren des Silikon-FMMT591 des Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 4


 
 
 
 Paket-Entwurfs-Maße
 

SymbolMaße in den MillimeterMaße in den Zoll
 MinuteMaximalMinuteMaximal
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 ART0,037 ART
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 HINWEIS0,022 HINWEIS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
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