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A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig

A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig
A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig

Großes Bild :  A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: A42
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

A42 Leistungstransistoren des Silikon-NPN, NPN-Leistungstransistor hoch gegenwärtig

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: 310V Emitter-Basis Spannung: 5V
Tstg: -55~+150℃ Material: Silizium
Kollektorstrom: 600 MA
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Energie mosfet-Transistoren

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren A42 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Hohe Durchbruchsspannung

 

Markierung: D965A

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 310 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 305 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 200 MA
ICM Kollektorstrom - pulsiert 500 MA
PC Kollektor-Verlustleistung 500 mW
RθJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 250 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=100ΜA, D.H. =0 310     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 305     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =100ΜA, IC=0 5     V

 

Kollektorsperrstrom

ICBO VCB=200V, D.H. =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Übergangsfrequenz fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     MHZ

 

 

 
 

 Typische Eigenschaften

 

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Verweis. 0,061 Verweis.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ART. 0,060 ART.
e1 3,000 ART. 0,118 ART.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
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SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan

 

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SOT-89-3L Band und Spule
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