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SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung
SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Großes Bild :  SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: B772
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Beschreibung
Features: Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung Verlustleistung: 1.5W
Kollektorableitung: 1.25W Nutzung: Elektronische Bauelemente
Kollektor-Basis-Spannung: 40V Case: Band/Behälter/Spule
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Spitzen-Reihentransistoren

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren B772 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

 

Langsame Schaltung

 

 

 

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -3 A
PC Kollektor-Ableitung 1,25 W
RӨJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 100 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 

AXIMUM-BEWERTUNGEN (Ta =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO Ic=-100μA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=-10mA, IB=0 -30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-100 μA, IC=0 -6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-40 V, D.H. =0     -1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-30 V IB=0     -10 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=-2V, IC=-1A 60   400  
  hFE (2) VCE=-2V, IC=-100mA 32      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-2A, IB=-0.2A     -0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-2A, IB=-0.2A     -1,5 V

 

Übergangsfrequenz

fT

VCE=-5V, IC=-0.1A

f=10MHz

 

50

   

 

MHZ

 
  
 

KLASSIFIKATION VON hFE (1)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320

200-400
 

 
 
 
Typische Eigenschaften
 


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SOT-89-3L B772 Spitzen-Leistungstransistor-niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung 2

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Min. Maximum. Min. Maximum.
A -- 1,800 -- 0,071
A1 0,020 0,100 0,001 0,004
A2 1,500 1,700 0,059 0,067
b 0,660 0,840 0,026 0,033
b1 2,900 3,100 0,114 0,122
c 0,230 0,350 0,009 0,014
D 6,300 6,700 0,248 0,264
E 6,700 7,300 0,264 0,287
E1 3,300 3,700 0,130 0,146
e 2,300 (BSC) 0,091 (BSC)
L 0,750 -- 0,030 --
θ 10° 10°

 
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 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan
 
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SOT-89-3L Band und Spule
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Kontaktdaten
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