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2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP
2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Großes Bild :  2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2SA1015
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Beschreibung
Produktname: Halbleitertriodenart Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Material: Silizium Emitter-Basis Spannung: 6v
Case: Band/Behälter/Spule VCBO: -50V
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren 2SA1015 TRANSISTOR ein (PNP)

 

 

 

EIGENSCHAFT

Ÿ-Verlustleistung

 

 

 

MARKIERUNG

A1015=Device-Code

Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät

Y=Rank von hFE, XXX=Code

2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
2SA1015 TO-92 Masse 10000
2SA1015-TA TO-92 Band 2000

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta =25Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Para-Meter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -50 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -50 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -150 MA
PD Kollektor-Verlustleistung 400 mW
R0 JA Thermal widerstehen ance von der Kreuzung zu umgebendem 312 Š/W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg St.-orage Temperatur -55 ~+150 Š

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= -100ΜA, D.H. =0 -50     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= -0.1MA, IB=0 -50     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = -100ΜA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= -50V, D.H. =0     -0,1 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= -50V, IB=0     -0,1 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= -5V, IC=0     -0,1 µA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= -6V, IC= -2MA 70   700  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= -100MA, IB= -10MA     -0,3 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= -100MA, IB= -10MA     -1,1 V
Übergangsfrequenz fT VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz 80     MHZ
KollektorAusgangskapazität Pfeiler VCB=-10V, D.H. =0, f=1MHz     7 PF
Rauschmaß N-Düngung VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK     6 DB

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Rang O Y GR Querstation
Strecke 70-140 120-240 200-400 350-700

 
 
Typische Eigenschaften
 
2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 1

2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 2

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan
 
2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 5


TO-92 vorgeschlagener Auflagen-Plan
2SA1015 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 6

 

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Kontaktdaten
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