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Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik

Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik
Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik

Großes Bild :  Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: B772
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Eingekapselte langsame Schaltung B772 der PNP-Spitzen-Leistungstransistor-TO-251-3L Plastik

Beschreibung
Kollektor-Basis VoltageCollector-Basis-Spannung: 40V Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Emitter-Basis Spannung: -6V Produktname: Halbleitertriodenart
TJ: 150 ° C Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Spitzen-Reihentransistoren

TO-126 Plastik-eingekapselter Transistoren B772 TRANSISTOR (PNP)

 

 

EIGENSCHAFT
 


Langsame Schaltung
 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
 

SymbolParameterWertEinheit
VCBOKollektor-Basis-Spannung-40V
VCEOKollektor-Emitter-Spannung-30V
VEBOEmitter-Basis-Spannung-6V
ICKollektorstrom - ununterbrochen-3A
PCKollektor-Verlustleistung1,25W
RӨJAThermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem100℃/W
TJGrenzschichttemperatur150
TstgLagertemperatur-55-150

 
 
 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

ParameterSymbolTestbedingungenMinuteArtMaximalEinheit
Kollektor-Basis DurchbruchsspannungV (BR) CBOIC=-100μA, D.H. =0-40  V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung(BR) CEO VIC= -10MA, IB=0-30  V
Emitter-BasisDurchbruchsspannungV (BR) EBOD.H. = -100ΜA, IC=0-6  V
KollektorsperrstromICBOVCB= -40V, D.H. =0  -1μA
KollektorsperrstromICEOVCE=-30V, IB=0  -10μA
EmittersperrstromIEBOVEB=-6V, IC=0  -1μA
GleichstromverstärkunghFEVCE= -2V, IC= -1A60 400 
Kollektor-Emitter SättigungsspannungVCE (gesessen)IC=-2A, IB= -0.2A  -0,5V
GrundsendersättigungsspannungVBE (gesessen)IC=-2A, IB= -0.2A  -1,5V

 

Übergangsfrequenz

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

RangROYGR
Strecke60-120100-200160-320200-400

 
 
 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

SymbolMaße in den MillimeterMaße in den Zoll
 MinuteMaximalMinuteMaximal
A3,3003,7000,1300,146
A11,1001,4000,0430,055
b0,3800,5500,0150,022
c0,3600,5100,0140,020
D4,3004,7000,1690,185
D13,430 0,135 
E4,3004,7000,1690,185
e1,270 ART0,050 ART
e12,4402,6400,0960,104
L14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
h0,0000,3800,0000,015

 
 
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