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Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V

Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V
Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V

Großes Bild :  Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: B772M
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V

Beschreibung
VCBO: -40v VCEO: -30V
Lagertemperatur: -55-150℃ Energie Mosfet-Transistor: TO-251-3L Plastik-kapseln ein
Material: Silizium Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-251-3L Plastik-kapseln Transistoren B772M TRANSISTOR ein (PNP)

 

 

EIGENSCHAFTEN

 

Langsame Schaltung

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 1,25 W
RӨJA Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem 100 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55-150

 
 
 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100μA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= -10MA, IB=0 -30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = -100ΜA, IC=0 -6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= -40V, D.H. =0     -1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Übergangsfrequenz

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Typische Eigenschaften

 

 
 Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V 0Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V 1Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V 2Silikon-Material der TO-251-3L Spitzen-Leistungstransistor-B772M PNP VCEO -30V 3

 

 

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
Min. Maximum. Min. Maximum.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 ART. 0,090 ART.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Verweis. 0,190 Verweis.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

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