Produktdetails:
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Kollektorverlustleistung: | 1.5W | Grenzschichttemperatur: | ℃ 150 |
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VCBO: | 600v | Produktname: | Halbleitertriodenart |
Kollektorstrom: | 3.5A | Typ: | Trioden-Transistor |
Markieren: | Spitzen-Reihentransistoren,Transistor pnp der hohen Leistung |
TO-126 Plastik-kapseln Transistoren 3DD13005HD55 TRANSISTOR ein (NPN)
Ÿ-Energie-Schaltungs-Anwendungen
Gute hohe Temperatur Ÿ
Niedrige Sättigungsspannung Ÿ
Ÿ-Hochgeschwindigkeitsschaltung
MARKIERUNG
Code JCET-Logos 13005HD55=Device
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
Teilnummer | Paket | Verpackungs-Methode | Satz-Quantität |
3DD13005HD55 | TO-126 | Masse | 200pcs/Bag |
3DD13005HD55-TU | TO-126 | Rohr | 60pcs/Tube |
MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 800 | V |
VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 450 | V |
VEBO | Emitter-Basis-Spannung | 9 | V |
IC | Kollektorstrom | 3,5 | A |
PC | Kollektor-Verlustleistung | 1,5 | W |
RθJA | Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem | 83,3 | ℃/W |
TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben
Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben
Parameter | Symbol | Testbedingungen | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC=1mA, D.H. =0 | 800 | V | ||
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | V (BR) CEO* | IC=10mA, IB=0 | 450 | V | ||
Emitter-BasisDurchbruchsspannung | V (BR) EBO | D.H. = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
Kollektorsperrstrom | ICBO | VCB=700V, D.H. =0 | 100 | μA | ||
Kollektorsperrstrom | ICEO | VCE=450V, IB=0 | 100 | μA | ||
Emittersperrstrom | IEBO | VEB=9V, IC=0 | 100 | μA | ||
Gleichstromverstärkung |
hFE (1) * | VCE=5V, IC=1A | 10 | 40 | ||
hFE (2) * | VCE=5V, IC=5mA | 10 | ||||
hFE (3) * | VCE=5V, IC=2A | 5 | ||||
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCE (gesessen) 1 | IC=1A, IB=200mA | 0,3 | V | ||
VCE (gesessen) 2 | IC=2A, IB=500mA | 0,6 | V | |||
Grundsendersättigungsspannung |
VBE (gesessen) 1 | IC=2A, IB=500mA | 1,2 | V | ||
VBE (gesessen) 2 | IC=500mA, IB=100mA | 1 | V | |||
Emitter-Kollektorvorwärtsspannung | VFEC | IC=2A | 2 | V | ||
Übergangsfrequenz | fT | VCE=10V, IC=500mA | 5 | MHZ | ||
Lagerzeit | Ts | IC=250mA (UI9600) | 5 | µs |
Typische Eigenschaften
Entwurfs-Maße des Paket-TO-92
Symbol | Maße in den Millimeter | Maße in den Zoll | ||
Minute | Maximal | Minute | Maximal | |
A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
e | 2,290 ART | 0,090 ART | ||
e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Ansprechpartner: David