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Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V

Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V
Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V

Großes Bild :  Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13005HD55
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V

Beschreibung
Kollektorverlustleistung: 1.5W Grenzschichttemperatur: ℃ 150
VCBO: 600v Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorstrom: 3.5A Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-126 Plastik-kapseln Transistoren 3DD13005HD55 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Ÿ-Energie-Schaltungs-Anwendungen

Gute hohe Temperatur Ÿ

Niedrige Sättigungsspannung Ÿ

Ÿ-Hochgeschwindigkeitsschaltung

 

 

MARKIERUNG

Code JCET-Logos 13005HD55=Device

 

Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
3DD13005HD55 TO-126 Masse 200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU TO-126 Rohr 60pcs/Tube


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 800 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 450 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 9 V
IC Kollektorstrom 3,5 A
PC Kollektor-Verlustleistung 1,5 W
RθJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 83,3 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=1mA, D.H. =0 800     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung V (BR) CEO* IC=10mA, IB=0 450     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 9     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=700V, D.H. =0     100 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=450V, IB=0     100 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=9V, IC=0     100 μA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) * VCE=5V, IC=1A 10   40  
hFE (2) * VCE=5V, IC=5mA 10      
hFE (3) * VCE=5V, IC=2A 5      

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (gesessen) 1 IC=1A, IB=200mA     0,3 V
VCE (gesessen) 2 IC=2A, IB=500mA     0,6 V

 

Grundsendersättigungsspannung

VBE (gesessen) 1 IC=2A, IB=500mA     1,2 V
VBE (gesessen) 2 IC=500mA, IB=100mA     1 V
Emitter-Kollektorvorwärtsspannung VFEC IC=2A     2 V
Übergangsfrequenz fT VCE=10V, IC=500mA 5     MHZ
Lagerzeit Ts IC=250mA (UI9600)     5 µs

 

 


Typische Eigenschaften

 

 Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V 1Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V 2
 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 ART 0,090 ART
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Halbleiter-Trioden-Art der Spitzen-3DD13005HD55 der Leistungstransistor-VCBO 600V 3

 

 

Kontaktdaten
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