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Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V

Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V
Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V

Großes Bild :  Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13003
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: 700V Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Kollektorstrom - ununterbrochen: 1.5A Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorverlustleistung: 2w Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren 3DD13003 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

· Energieschaltungsanwendungen

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 700 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 9 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1,5 A
PC Kollektor-Verlustleistung 2 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter

Symbol

S-ymbol

Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC =5MA, D.H. =0 700     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=10mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =2MA, IC=0 9     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=700V, D.H. =0     1 MA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=400V, IB=0     0,5 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB=9V, IC=0     1 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE1 VCE=5V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE2 VCE=5V, IC= 1.5A 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=1A, IB=0.25A     0,6 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=1A, IB=0.25A     1,2 V
Übergangsfrequenz fT VCE=10V, Ic=100mA, f =1MHz 5     MHZ
Abfallzeit tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V     0,5 µs
Lagerzeit TS IC=250mA (UI9600) 2   4 μs

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Strecke 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

KLASSIFIKATION VON TS

 

Rang A1 A2 B1 B2
Strecke 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs 

 
 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 ART 0,100 ART
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Transistor-Stromkreis 3DD13003 NPN, NPN-Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 400V 0

 

 

Kontaktdaten
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