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3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V

3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V
3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V

Großes Bild :  3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13005
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

3DD13005 Npn hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-9V

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: 700V Grenzschichttemperatur: ℃ 150
Emitter-Basis Spannung: 9V Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorableitung: 1.25W Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-263-3L Plastik-kapseln Transistoren 3DD13005 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Energie-Schaltungs-Anwendungen

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 700 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 9 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1,5 A
PC Kollektor-Ableitung 1,25 W
TJ, Tstg Kreuzung und Lagertemperatur -55~+150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V Ic= 10 MA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 9     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 700V, D.H. =0     1 MA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=1A, IB= 250 MA     0,6 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Grundsenderspannung VBE IE= 2A     3 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHZ

Abfallzeit tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Lagerzeit ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Rang              
Strecke 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

KLASSIFIKATION VON TS

 

Rang A1 A2 B1 B2
Strecke 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Min. Maximum. Min. Maximum.
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 ART. 0,100 ART.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ
V 5,600 Verweis. 0,220 Verweis.

 

 

 

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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