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Produktdetails:
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| Features: | Oberflächenbergpaket | Produktname: | mosfet-Leistungstransistor |
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| Typ: | Mosfet-Transistor | Produkt Identifikation: | 20G04S |
| VDS: | 40V | VGS: | ±20V |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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MOSFET Anreicherungstyp 20G04S 40V N+P-Channel
Beschreibung
Der moderne Graben des Gebrauches 20G04S
Technologie, zum ausgezeichneten RDS(AN) und niedrige Torgebühr bereitzustellen.
Die ergänzenden MOSFETs werden benutzt möglicherweise, um a zu bilden
Niveau verschob hohen Seitenschalter und für einen Wirt von anderem
Anwendungen
Allgemeine Eigenschaften
N-Kanal
VDS =40V, ID =20A
RDS(AN)< 35m=""> GS=10V
RDS(AN)< 42m=""> GS=4.5V
P-Kanal
VDS =-40V, ID = -18A
RDS(AN)<40m> GS=-10V
RDS(AN)< 70m=""> GS=-4.5V
Hohe Leistung und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit
Bleifreies Produkt wird erworben
Oberflächenbergpaket
Anwendung
● Energie-Schaltungsanwendung
● stark und Hochfrequenzwählverbindungen
● unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Ansprechpartner: David
