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Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

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Großes Bild :  Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: HXY4616
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

Beschreibung
Features: Oberflächenbergpaket Produktname: mosfet-Leistungstransistor
Typ: Mosfet-Transistor Produkt Identifikation: HXY4616
VDS: 40V VGS: ±20V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

hoher Strom mosfet-Schalter

HXY4616 30V ergänzender MOSFET

 

Beschreibung

 

Der vorangebrachte Gebrauch HXY4616 gräbt Technologie zu provideexcellent RDS (AN) und zur niedrigen Torgebühr. Thiscomplementary N und P lenken MOSFET-configurationis, die für niedrige Eingangsspannungsinverteranwendungen ideal sind.

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N-Kanal-elektrische Eigenschaften (T=25°C wenn nicht anders vermerkt)
 
 
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A. Der Wert von r-θJA wird mit dem Gerät gemessen, das an 1in A =25°C. angebracht wird, das der Wert in jeder möglicher gegebenen Anwendung vom spezifischen Brett des Brettes design.2 FR-4 des Benutzers mit 2oz abhängt. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit T

B. Die Verlustleistung PD basiert auf TJ(max) =150°C, unter Verwendung ≤ 10s Kreuzung-zu-umgebenden thermischen Widerstands. C., basieren sich wiederholende Bewertung, die Impulsbreite, die durch Grenzschichttemperatur TJ(max) begrenzt ist =150°C. Bewertungen auf Niederfrequenz- und Dienstzyklen, um initialTJ=25°C. zu halten.

D. Das r-θJA ist die Summe des thermischen Widerstands von der Kreuzung, zum von r-θJL zu führen und zu umgebendes zu führen.

E. Die statischen Eigenschaften in Tabellen 1 bis 6 werden unter Verwendung erreicht <300>

F. Diese Kurven basieren auf dem Kreuzung-zu-umgebenden thermischen Widerstand, der mit dem Gerät gemessen wird, das an Brett 1in2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie und annehmen, dass eine maximale Grenzschichttemperatur von TJ(max) =150°C. die SOA-Kurve ein Einzelimpuls ratin G. liefert.

 

N-Kanal: TYPISCHE ELEKTRISCHE UND THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
 
 
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Kontaktdaten
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