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18N20X 200V MOS-Feld-Effekt-Transistor-niedrige Tor-Gebühr für zugeschaltete Anwendung

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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18N20X 200V MOS-Feld-Effekt-Transistor-niedrige Tor-Gebühr für zugeschaltete Anwendung

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18N20X 200V MOS-Feld-Effekt-Transistor-niedrige Tor-Gebühr für zugeschaltete Anwendung

Großes Bild :  18N20X 200V MOS-Feld-Effekt-Transistor-niedrige Tor-Gebühr für zugeschaltete Anwendung

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 18N20X
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

18N20X 200V MOS-Feld-Effekt-Transistor-niedrige Tor-Gebühr für zugeschaltete Anwendung

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Grenzschichttemperatur:: 150 ° C
Material: Silizium Modellnummer: HXY2312
Case: Band/Behälter/Spule Typ: Mosfet-Transistor
Markieren:

hoher gegenwärtiger Transistor

,

mosfet-Fahrer

N-Kanal-Anreicherungstyp MOSFET 18N20X 200V

 

Produkt-Zusammenfassung

 

Das 18N20X setzt moderne flache Technologie ein, um ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr und Operation mit den Torspannungen zu versorgen, die so niedrig sind wie 2.5V. Dieses Gerät ist für Gebrauch als Körperverletzungsschutz oder in anderer Schaltungsanwendung passend.
 
 
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Kontaktdaten
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