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Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet
Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

Großes Bild :  Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 1503C1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

Beschreibung
Produktname: Hochspannungsmosfet-Transistor Modellnummer: 1503C1
R DS (AN) = 7.1mΩ (Art.): @V GS = 10V R mΩ 10,0 DS (AN) = (Art.): @V GS = 4.5V
Merkmal: Schroff Typ: Original
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Ursprünglicher Hochspannung Mosfet-Transistor, Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet

 

Hochspannungsmosfet-Transistor-Funktion und Eigenschaften

 

Der Bau des Energie MOSFET ist in den V-Konfigurationen, wie wir in der folgenden Zahl sehen können. So wird das Gerät auch als das V-MOSFET oder das V-FET genannt. Das v, welches die Form von Energie MOSFET geschnitten wird, um von der Gerätoberfläche einzudringen, ist fast zum N+-Substrat zum N+, zum P und zum N – Schichten. Die N+-Schicht ist die schwer lackierte Schicht mit einem niedrigen widerstrebenden Material und die n-Schicht ist eine leicht lackierte Schicht mit der hohen Widerstandregion.

 

Hochspannungsmosfet-Transistor-Eigenschafts-Beschreibung

 

30V/34A
R DS (AN) = (Art.) @V 7.1mΩ GS = 10V
R mΩ DS (AN) = (Art.) @V 10,0 GS = 4.5V
Lawine 100% geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen frei und grüne Geräte verfügbar
(RoHS konform)

 

Hochspannungsmosfet-Transistor-Anwendungen

 

Schaltungs-Anwendung
Energie-Management für DC/DC
Batterie-Schutz

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen

 

C1
1503
YYXXXJWW

 

Paket-Code


C1: DFN3*3-8L   

                 

Datums-Code


YYXXX WW

 

Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% LechWeißblech Termi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert
„Grün“, zum bleifreies (RoHS konform) und das Halogen zu bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht herein
homogenes Material und Summe Br und Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.

 

Absolute Maximalleistungen

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Typische Betriebsmerkmale

 

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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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