Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A
N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

Großes Bild :  N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: G045P03LQ1C2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

Beschreibung
Produktname: n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor Modellnummer: G045P03LQ1C2
Leistung: -30V/-80A R mΩ 3,8 DS (AN) = (Art.): @V GS = -10V
R mΩ 6,2 DS (AN) = (Art.): @V GS = -4.5V Anwendung: Switching
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A

 

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Beschreibung

 

-30V/-80A
R mΩ 3,8 DS (AN) = (Art.) @V GS = -10V
R mΩ 6,2 DS (AN) = (Art.) @V GS = -4.5V
Lawine 100% geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen-freie Geräte verfügbar

 

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Anwendungen

 

Schaltungs-Anwendung
Energie-Management für DC/DC
Batterie-Schutz

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen

 

C2
G045P03

 

Paket-Code
C2: PPAK5*6-8L
Datums-Code

 

Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% LechWeißblech Termi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert
„Grün“, zum bleifreies (RoHS konform) und das Halogen zu bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht herein
homogenes Material und Summe Br und Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.

 

Absolute Maximalleistungen

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A 0

 

Typische Betriebsmerkmale

 

 

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor, Transistor der hohen Leistung -30V/-80A 1

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!