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Produktdetails:
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Produkt-Name: | N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor | Modell: | AP10H06S |
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Satz: | SOP-8 | Markierung: | AP10H06S |
VDSDrain-Quellspannung: | 60V | VGSGate-Source Spannung: | ±20A |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP10H06S N
N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistorarten
Innerhalb der Gesamtarena von Energie MOSFETs, gibt es einige spezifische Technologien, die von den verschiedenen Herstellern entwickelt worden und adressiert worden sind. Sie verwenden einige verschiedene Techniken, die den Energie MOSFETs ermöglichen, den Strom zu tragen und die Leistungspegel leistungsfähiger zu behandeln. Wie bereits erwähnt sie häufig eine Form von vertikalem enthalten, strukturieren Sie
Die verschiedenen Arten von Energie MOSFET haben verschiedene Attribute und können für gegebene Anwendungen deshalb besonders entsprochen werden.
N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaften
VDS = 60V IDENTIFIKATION =10A
RDS (AN) < 20m="">
N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Anwendung
Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
AP10H06S | SOP-8 | AP10H06S | 3000 |
Absolute Maximalleistungen (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
Abfluss-Quellspannung | VDS | 60 | V |
Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 10 | A |
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (℃ TC=100) | Identifikation (℃ 100) | 5,6 | A |
Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 32 | A |
Höchstleistungs-Ableitung | PD | 2,1 | W |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | T J, T STG | -55 bis 150 | ℃ |
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) | RθJA | 60 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BV DSS | V GS=0V ID=250μA | 60 | - | V | |
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | V GS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tor-Schwellen-Spannung | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 1,0 | 1,6 | 2,2 | V |
Abfluss-Quelldurchlasswiderstand |
RDS (AN) |
V GS=10V, ID=8A | - | 15,6 | 20 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | - | 20 | 28 | mΩ | ||
Vorwärtstransconductance | gFS | V DS=5V, ID=8A | 18 | - | - | S |
Input-Kapazitanz | Clss |
V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz |
- | 1600 | - | PF |
Ausgangskapazität | Coss | - | 112 | - | PF | |
Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 98 | - | PF | |
Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) | - | 7 | - | nS | |
Drehung-auf Anstiegszeit |
r t |
- | 5,5 | - | nS | |
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 29 | - | nS | |
Drehungs--Wegabfallzeit |
f t |
- | 4,5 | - | nS | |
Gesamttor-Gebühr | Qg |
V DS=30V, ID=8A, V GS=10V |
- | 38,5 | - | nC |
Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 4,7 | - | nC | |
Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 10,3 | - | nC | |
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | V SD | V GS=0V, IS=8A | - | - | 1,2 | V |
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IST | - | - | - | 8 | A |
Rückgenesungszeit |
Eisenbahn t |
TJ = 25°C, WENN =8A μs di/dt = 100A/ |
- | 28 | - | nS |
Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr | - | 40 | - | nC |
Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BV DSS | V GS=0V ID=250μA | 60 | - | V | |
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | V GS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tor-Schwellen-Spannung | V GS (Th) | V DS=V GS, μA ID=250 | 1,0 | 1,6 | 2,2 | V |
Abfluss-Quelldurchlasswiderstand |
RDS (AN) |
V GS=10V, ID=8A | - | 15,6 | 20 | mΩ |
V GS=4.5V, ID=8A | - | 20 | 28 | mΩ | ||
Vorwärtstransconductance | gFS | V DS=5V, ID=8A | 18 | - | - | S |
Input-Kapazitanz | Clss |
V DS=30V, V GS=0V, F=1.0MHz |
- | 1600 | - | PF |
Ausgangskapazität | Coss | - | 112 | - | PF | |
Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 98 | - | PF | |
Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) | - | 7 | - | nS | |
Drehung-auf Anstiegszeit |
r t |
- | 5,5 | - | nS | |
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 29 | - | nS | |
Drehungs--Wegabfallzeit |
f t |
- | 4,5 | - | nS | |
Gesamttor-Gebühr | Qg |
V DS=30V, ID=8A, V GS=10V |
- | 38,5 | - | nC |
Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 4,7 | - | nC | |
Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 10,3 | - | nC | |
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | V SD | V GS=0V, IS=8A | - | - | 1,2 | V |
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IST | - | - | - | 8 | A |
Rückgenesungszeit |
Eisenbahn t |
TJ = 25°C, WENN =8A μs di/dt = 100A/ |
- | 28 | - | nS |
Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr | - | 40 | - | nC |
Anmerkung
1. sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek.
3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300 μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.
Ansprechpartner: David