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Produktdetails:
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| Art: | Feldeffekttransistor | Produktname: | AP6982GN2-HF |
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| Qualität: | ursprünglich | Anwendung: | Haushaltsgeräte |
| Logo: | besonders angefertigt | Vth:: | 0.7V |
| Markieren: | Transistor 2.4W Mosfet-Modul,Transistor 10mr Mosfet-Modul,AP6982GN2-HF Feld-Effekt-Transistor |
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Mosfet-Alternative Transistor G2012 20V 12A 10mr für AP6982GN2-HF
Beschreibung:
Reihen AP6982 sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und
Verfahrenstechnik des Silikons, zum das niedrigste mögliche an zu erzielen? Widerstand und schnelle zugeschaltete Leistung. Sie liefert
Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einem breiten
Strecke der Energieanwendungen.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25o.C (wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Ununterbrochener Abfluss gegenwärtige3 @ VGS =4.5V | 11 | |
| ID@TA =70℃ | Ununterbrochener Abfluss gegenwärtige3 @ VGS =4.5V | 8,7 | |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung3 | 2,4 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 52 | ℃/W |
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =10A | - | 9,3 | 12,5 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =5A | - | 11,3 | 16 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =2A | - | 15 | 21 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,3 | 0,5 | 1 | V |
| gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =10A | - | 34 | - | S |
| IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Gesamttor-Gebühr |
Identifikation =10A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 22 | 35,2 | nC |
| Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 2,5 | - | nC | |
| Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 7 | - | nC | |
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit | VDS =10V | - | 9 | - | ns |
| tr | Anstiegszeit | Identifikation =1A | - | 13 | - | ns |
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | RG =3.3Ω | - | 40 | - | ns |
| tf | Abfallzeit | VGS =5V | - | 10 | - | ns |
| Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 1500 | 2400 | PF |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 170 | - | PF | |
| Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 155 | - | PF | |
| Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 2 | 4 | Ω |
Quelle-Abfluss-Diode
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Rückgenesungszeit |
IST =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 11 | - | ns |
| Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 5 | - | nC |
Anmerkungen:
Dieses Produkt ist für elektrostatische Entladung, behandeln bitte sorgfältig empfindlich.
Dieses Produkt wird nicht autorisiert, als kritische Komponente eines Systems der lebenserhaltenden Maßnahmen oder anderer ähnlicher Systeme benutzt zu werden.
APEC ist nicht für irgendeine Haftung verantwortlich, die aus der Anwendung sich ergibt, oder Gebrauch von jedem möglichem Produkt oder Stromkreis beschrieb in dieser Vereinbarung, noch weist er irgendeine Lizenz unter seinen Patentrechten zu oder weist die Rechte von anderen zu.
APEC behält sich das Recht vor, Änderungen an jedem möglichem Produkt in dieser Vereinbarung ohne vorherige Ankündigung vorzunehmen, Zuverlässigkeit, Funktion oder Entwurf zu verbessern.
Ansprechpartner: David
