Typ:SCHALTUNG DIODESOD
VRM:100V
Energie Mosfet-Transistor:SOT-23 Plastik-kapseln Dioden ein
Typ:SCHALTUNG DIODESOD
Merkmal:Niedriges Durchsickern
Energie Mosfet-Transistor:SOT-23 Plastik-kapseln Dioden ein
Typ:SCHALTUNG DIODESOD
Anwendung:Universelle Schaltung
Energie Mosfet-Transistor:Plastik-EncapsulateDiodes SOD-123
Typ:SCHALTUNG DIODESOD
Merkmal:Schnelle Schaltverzögerung
Energie Mosfet-Transistor:Plastik-EncapsulateDiodes SOD-123
Grenzschichttemperatur:℃ 150
Energie Mosfet-Transistor:SOT-23 Plastik-kapseln ein
Anwendung:bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Typ:Silikon-Leistungstransistor
Merkmal:Niedriger gleichwertiger Aufwiderstand
Kollektor-Emitter-Spannung:60V
Grenzschichttemperatur:℃ 150
Typ:Trioden-Transistor
Anwendung:bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Merkmal:Niedriges Durchsickern
Energie Mosfet-Transistor:SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren ein
Produkt Identifikation:MMBT4403
VCBO-Kollektor-Basis-Spannung:-80 V
Produktname:Halbleiter-Triode
Min Bestellmenge:1000-2000 PC
Kollektor-Basis-Spannung:310V
Emitter-Basis Spannung:5V
Tstg:-55~+150℃
Kollektor-Basis-Spannung:400V
Grenzschichttemperatur:℃ 150
Tstg:-55~+150℃
Grenzschichttemperatur:℃ 150
Kollektorverlustleistung:225mW
Merkmal:Universelle Verstärker-Anwendungen