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Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung
Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung

Großes Bild :  Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: A94
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: -400V Kollektorverlustleistung: 0,5 w
Emitter-Basis Spannung: -5V Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Kollektorstrom pulsierte: -0.3A
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Netzschaltertransistor

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren A94 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Hohe Durchbruchsspannung

 

Markierung: A94

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -400 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -0,2 A
ICM Kollektorstrom pulsierte -0,3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,5 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= -100ΜA, D.H. =0 -400     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= -1MA, IB=0 -400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-100ΜA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-400V, D.H. =0     -0,1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-400V, IB=0     -5 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB= -4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

 

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=-10V, IC=-10mA 80   300  
  hFE (2) VCE=-10V, IC=-1mA 70      
  hFE (3) VCE=-10V, IC=-100mA 60      
  hFE (4) VCE=-10V, IC=-50mA 80      

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (gesessen) IC=-10mA, IB=-1mA     -0,2 V
  VCE (gesessen) IC=-50mA, IB=-5mA     -0,3 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-10mA, IB= -1mA     -0,75 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=-20V, IC=-10mA

f =30MHz

 

50

   

 

MHZ

 
 
 

Typische Eigenschaften

 

 

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung 0

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung 1

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V des Silikon-A94 für bewegliche Stromversorgung 2

 

 


 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Verweis. 0,061 Verweis.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ART. 0,060 ART.
e1 3,000 ART. 0,118 ART.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan

 

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SOT-89-3L Band und Spule
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Kontaktdaten
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Ansprechpartner: David

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