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Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W

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Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W

Großes Bild :  Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: D882
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: 40V Kollektorverlustleistung: 0,5 w
Emitter-Basis Spannung: 6v Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Kollektorstrom pulsierte: -0.3A
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Netzschaltertransistor

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren D882 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Verlustleistung

 

Markierung: A94

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,5 W

 

RӨJA

Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem

 

250

℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC = 100μA, D.H. =0 40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100μA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 40V, D.H. =0     1 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 30V, IB=0     10 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 6V, IC=0     1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=2V, IC= 1A 60   400  
  hFE (2) VCE=2V, IC= 100mA 32      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE= 5V, Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

MHZ

 
 

KLASSIFIKATION VON hF.E.(1)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

Typische Eigenschaften

 

 

 

Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W 0Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W 1

Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W 2

Des Silikon-D882 Hochgeschwindigkeitsschaltung Leistungstransistor-Kollektor-der Verlustleistungs-0.5W 3

 

 

 


 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Verweis. 0,061 Verweis.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ART. 0,060 ART.
e1 3,000 ART. 0,118 ART.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan

 

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SOT-89-3L Band und Spule
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