Startseite ProdukteMOS-Feld-Effekt-Transistor

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V
Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

Großes Bild :  Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3403D-U-V
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

Beschreibung
Produktname: MOS-Feld-Effekt-Transistor V DSS-Abfluss-Quellspannung: 30 V
V GSS-Tor-Quellspannung: ±20 V Maximale Grenzschichttemperatur T J: °C 175
Lagertemperaturbereich T STG: °C -55 bis 150 I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): 100A
Markieren:

Logik mosfet-Schalter

,

mosfet-Fahrer

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Beschreibung

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor werden in vielen Anwendungen der Stromversorgung und der Generalvollmacht, besonders als Schalter benutzt. Variante s umfassen planare MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs und andere verschiedene Markennamen.

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaft

 

30V/100A
R DS (AN) = 2.4mΩ (Art.) @V GS = 10V
R DS (AN) = 2.9mΩ (Art.) @V GS = 4.5V

Lawine 100% geprüft

Zuverlässig und schroff

Halogen frei und grüne Geräte verfügbar

(RoHS konform)

 

Anwendungen

 

System-synchroner Hochfrequenzdollar
Konverter für Computer-Prozessor-Energie
Hochfrequenz lokalisiertes DC-DC
Konverter mit synchroner Korrektur
für Telekommunikation und industriellen Gebrauch

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen

 

D U V
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G

Paket-Code
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Datums-Code-Versammlungs-Material
YYXXX WW G: Halogen geben frei

 

Anmerkung: e-frei Produkte enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% Lechzinn plateTermi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. e-frei Produkte treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. „Grün“
zu bleifreies (RoHS konform) und das Halogen bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht in homogenem
materiell und total vom Br und vom Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu diesem Produkt und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung zu machen.

 

Absolute Maximalleistungen

 

Lineare Energie-MOS-Feld-Effekt-Transistor-vertikale Struktur 3403D-U-V 0

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!