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TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art

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Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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—— -- Виктор von Russland

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TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art
TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art

Großes Bild :  TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: TO-92 A42
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag
Kontakt

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art

Beschreibung
VCBO: 310V VCEO: 305V
VEBO: 5V Produktname: Silikonhalbleiter-Triodenart
TJ: 150 ° C Case: Band/Behälter/Spule
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren A42 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Hochspannung

 

 

MARKIERUNG

  • A42=Device-Code
  • Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät
  • Z=Rank von hFE
  • XXX=Code

 

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
A42 TO-92 Masse 10000
A42-TA TO-92 Band 2000


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 310 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 305 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 5 V
I C Sammler Curren t - ununterbrochen 200 MA
I CM Kollektorstrom - pulsiert 500 MA
PC Kollektor-Verlustleistung 625 mW
TJ Grenzschichttemperatur 150 ℃
Tstg Lagertemperatur -55-150 ℃
RӨJA Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem 200 ℃ /mW
RӨJC Thermischer Widerstand, Kreuzung zum Fall 83,3 ℃ /mW

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=100uA, D.H. =0 310     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 305     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =100ΜA, IC=0 5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=200V, D.H. =0     0,25 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

Gleichstromverstärkung

 hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 80   250  
hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Übergangsfrequenz fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHZ 50     MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

RANG A B C
STRECKE 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Typische Eigenschaften

 

 

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art 1

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art 2

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art 3

TO-92 A42 Spitzen-Leistungstransistor-Silikon-Halbleiter-Trioden-Art 4

 


 

 

 

 

 


 
 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Größe und Tag:

Transistor pnp der hohen Leistung,

Spitzen-Reihentransistoren,

Spitze pnp Transistor

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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mosfet-Leistungstransistor

Transistor des logischen Zustandes HXY4616, Hochspannungstransistor 30V ergänzender MOSFET

Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

20G04S 40V Kanal-Anreicherungstyp MOSFET Mosfet-Leistungstransistor-N+P

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