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Produktdetails:
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| VCBO: | 60V | VCEO: | 50V |
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| VEBO: | 5V | Produktname: | Silikonhalbleiter-Triodenart |
| TJ: | 150 ° C | Case: | Band/Behälter/Spule |
| Markieren: | Spitze pnp Transistor,Transistor pnp der hohen Leistung |
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TO-92 Plastik-kapseln Transistoren C945 TRANSISTOR ein (NPN)
Ausgezeichnete Linearitäten hFE Ÿ
Ÿ lärmarm
Ÿ ergänzend zu A733
MARKIERUNG
C945=Device-Code
Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät
Z=Rank von hFE
XXX=Code
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
| Teilnummer | Paket | Verpackungs-Methode | Satz-Quantität |
| C945 | TO-92 | Masse | 1000pcs/Bag |
| C945-TA | TO-92 | Band | 2000pcs/Box |
MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 60 | V |
| V CEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 50 | V |
| V EBO | Emitter-Basis-Spannung | 5 | V |
| I C | Kollektorstrom - ununterbrochen | 150 | MA |
| PC | Kollektor-Verlustleistung | 400 | mW |
| TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
| Tstg | St.-orage Temperatur | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben
| Parameter | Symbol | Testbedingungen | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| Kollektor-Basis Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC=1mA, D.H. =0 | 60 | V | ||
| Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | (BR) CEO V | IC=100μA, IB=0 | 50 | V | ||
| Emitter-BasisDurchbruchsspannung | V (BR) EBO | D.H. =100 μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Kollektorsperrstrom | ICBO | VCB=60V, D.H. =0 | 0,1 | μA | ||
| Kollektorsperrstrom | ICEO | VCE=45V, IB=0 | 0,1 | μA | ||
| Emittersperrstrom | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
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Gleichstromverstärkung |
hFE (1) | VCE=6V, IC=1mA | 70 | 700 | ||
| hFE (2) | VCE=6V, IC=0.1mA | 40 | ||||
| Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | VCE (gesessen) | IC=100mA, IB=10mA | 0,3 | V | ||
| Grundsendersättigungsspannung | VBE (gesessen) | IC=100mA, IB=10mA | 1 | V | ||
| Übergangsfrequenz | fT | VCE=6V, IC=10mA, f=30MHz | 200 | MHZ | ||
| KollektorAusgangskapazität | Pfeiler | VCB=10V, D.H. =0, f=1MHz | 3,0 | PF | ||
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Rauschmaß |
N-Düngung |
VCE=6V, IC=0.1mA RG=10kΩ, f=1MHz |
10 |
DB |
| Rang | O | Y | GR | Querstation |
| Strecke | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
Typische Eigenschaften
Paket-Entwurfs-Maße
| Symbol | Maße in den Millimeter | Maße in den Zoll | ||
| Minute | Maximal | Minute | Maximal | |
| A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 ART | 0,050 ART | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Ansprechpartner: David
