|
Produktdetails:
|
| PC: | 1.25W | Grenzschichttemperatur: | ℃ 150 |
|---|---|---|---|
| Lagertemperatur: | -55-150℃ | Energie Mosfet-Transistor: | TO-251-3L Plastik-kapseln ein |
| Material: | Silizium | Typ: | Trioden-Transistor |
| Markieren: | Spitze pnp Transistor,Transistor pnp der hohen Leistung |
||
TO-251-3L Plastik-kapseln Transistoren D882 TRANSISTOR ein (NPN)
Verlustleistung
MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 40 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 30 | V |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | 6 | V |
| IC | Kollektorstrom - ununterbrochen | 3 | A |
| PC | Kollektor-Verlustleistung | 1,25 | W |
| TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ |
| Tstg | Lagertemperatur | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben
| Parameter | Symbol | Testbedingungen | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| Kollektor-Basis Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC = 100μA, D.H. =0 | 40 | V | ||
| Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | (BR) CEO V | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| Emitter-BasisDurchbruchsspannung | V (BR) EBO | D.H. = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Kollektorsperrstrom | ICBO | VCB= 40 V, D.H. =0 | 1 | µA | ||
| Kollektorsperrstrom | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Emittersperrstrom | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Gleichstromverstärkung | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| Kollektor-Emitter Sättigungsspannung | VCE (gesessen) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Grundsendersättigungsspannung | VBE (gesessen) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
|
Übergangsfrequenz |
fT |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
MHZ |
| Rang | R | O | Y | GR |
| Strecke | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Typische Eigenschaften
Ansprechpartner: David
