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8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS
8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS

Großes Bild :  8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 8205A
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor VDSS: 6,0 A
Modellnummer: 8205A Anwendung: Energie-Management
Merkmal: Niedrige Tor-Gebühr Energie Mosfet-Transistor: SOT-23-6L Plastik-kapseln ein
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

hoher Strom mosfet-Schalter

8205A SOT-23-6L Plastik-kapseln MOSFETS Doppeln-kanal MOSFET ein

 

 

Allgemeine Beschreibung

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

RDS (an) <>

25m

GS

  z  

RDS (an) <>

32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

EIGENSCHAFT

 

MOSFET Energie z TrenchFET

z ausgezeichnetes RDS(an)

niedrige Tor-Gebühr z

z-hohe Leistung und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit

z-Oberflächen-Berg-Paket

 

 

ANWENDUNG

 

z-Batterie-Schutz

z-Lasts-Schalter

z-Energie-Management

 

 

Parameter-Symbol-Testbedingungs-minimale Art maximale Einheit
STATISCHES CHARACTERICTISCS
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V (BR) DSS VGS = 0V, Identifikation =250µA 19 V
Nulltorspannungsabfluß gegenwärtiges IDSS VDS =18V, µA VGS = 0V 1
Tor-Körperdurchsickern gegenwärtiges IGSS VGS =±10V, VDS = 0V ±100 Na
Versehen Sie Schwellenspannung mit einem gatter (Anmerkung 3) VGS (Th) VDS =VGS, Identifikation =250µA 0,5 0.9V
Schicken Sie tranconductance nach (Anmerkung 3) gFS VDS =5V, Identifikation =4.5A 10 S
Diodenvorwärtsspannung (Anmerkung 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V

 

 

DYNAMISCHES CHARACTERICTISCS (note4)
Input-Kapazitanz Ciss 800 PF
Ausgangskapazität Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF
Rückübergangskapazitanz Crss 125 PF

 

 

SCHALTUNG CHARACTERICTISCS (Anmerkung 4)
Einschaltverzögerungszeit TD (an) 18 ns
Drehung-auf Anstiegszeit tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns
Abschaltverzögerungszeit TD (weg) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns
Drehungs-wegabfallzeit tf 20 ns
Gesamttor-Gebühr Qg 11 nC
Tor-Quellgebühr Qgs VDS =10V, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC
Tor-Abfluss-Gebühr Qgd 2,5 nC

 

 

Anmerkungen:

1. Sich wiederholende Bewertung: Pluse-Breite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur

2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, sek t≤10.

3. Impulstest: Impuls width≤300μs, Aufgabe cycle≤2%.

4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion.

 

 

 

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS 0

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS 18205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS 2

 

 

SOT-23-6L Paket-Entwurfs-Maße

 

 

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS 3

8205A verdoppeln n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor SOT-23-6L MOSFETS 6,0 A VDSS 4

 

 

 

Kontaktdaten
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