WSF3012 N-Ch und P-Kanal MOSFET
Beschreibung
Das WSF3012 ist der Graben N-ch der höchsten Leistung
und MOSFET P-ch mit extremer hoher Zelldichte,
für welches ausgezeichnetes RDSON zur Verfügung stellen Sie und Gebühr mit einem Gatter versehen Sie
die meisten synchronen Dollarkonverteranwendungen.
Das Treffen WSF3012 das RoHS und das grüne Produkt
Anforderung 100% EAS garantiert mit voller Funktion
Zuverlässigkeit genehmigt.
Produkt sommerlich
Eigenschaften
- Grabentechnologie Dichte z moderne hohe Zell
- super niedrige Tor-Gebühr z
- ausgezeichnete CdV/dt Effektabnahme z
- z 100% EAS garantiert
- z-Grün-Gerät verfügbar
Anwendungen
z-Hochfrequenzpunkt-von-last synchron
Dollar-Konverter für MB/NB/UMPC/VGA
Stromnetz z-Vernetzungs-DC-DC
Hintergrundbeleuchtungs-Inverter z CCFL
Absolute Maximalleistungen
Thermische Daten
N-Kanal-elektrische Eigenschaften (℃ TJ=25, wenn nicht anders vermerkt)
Garantierte Lawinen-Eigenschaften
Anmerkung:
1. Die Daten prüften durch die Oberfläche, die an einem 1 Brett inch2 FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.
2. Die Daten prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%
3. Die Verlustleistung wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt
4. Die Daten sind theoretisch die selben, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.
P-Kanal-elektrische Eigenschaften (℃ TJ=25, wenn nicht anders vermerkt)
Garantierte Lawinen-Eigenschaften
Anmerkung:
1. Die Daten prüften durch die Oberfläche, die an einem 1 Brett inch2 FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.
2. Die Daten prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%
3. Die EAS-Daten zeigen max. Bewertung. Die Testbedingung ist VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. Die Verlustleistung wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt
5. Der min. Wert ist 100% EAS geprüfte Garantie.
6. Die Daten sind theoretisch die selben, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.
N-Kanal-typische Eigenschaften
P-Kanal-typische Eigenschaften
