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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 5N20DY | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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5N20D / N-Kanal-Anreicherungstyp MOSFET Y 200V
Der moderne Graben AP50N20D-Gebrauches
Technologie, zum ausgezeichneten RDS (AN) und der niedrigen Torgebühr bereitzustellen.
Die ergänzenden MOSFETs werden benutzt möglicherweise, um einen Niveau verschobenen hohen Seitenschalter und für einen Wirt von anderem zu bilden
EIGENSCHAFTEN
VDS =200V, IDENTIFIKATION =5A
RDS (AN) <520m>
Anwendung
Lastsschaltung
Stark geschaltet und Hochfrequenz umkreist unterbrechungsfreie Stromversorgung
| Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
| Abfluss-Quellspannung | VDS | 200 | V |
| Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
| Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 5 | A |
| Lassen Sie Gegenwärtig-pulsiert ab (Anmerkung 1) | IDM | 20 | A |
| Höchstleistungs-Ableitung | PD | 30 | W |
| Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 150 | ℃ |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
| Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| Weg von den Eigenschaften | ||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Auf Eigenschaften (Anmerkung 3) | ||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Vorwärtstransconductance | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Dynamische Eigenschaften (Note4) | ||||||
| Input-Kapazitanz | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
| Ausgangskapazität | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Schaltcharakteristik (Anmerkung 4) | ||||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | nS |
| Drehung-auf Anstiegszeit | tr | - | 12 | - | nS | |
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 15 | - | nS | |
| Drehungs--Wegabfallzeit | tf | - | 15 | - | nS | |
| Gesamttor-Gebühr | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
| Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
| Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
| Abfluss-Quelldiodenkennlinien | ||||||
| Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IS | - | - | 5 | A | |
Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
