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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 5N60 | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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N-KANAL-ENERGIE MOSFET 5N60 K-TCQ 5A 600V
Das UTC 5N60K-TCQ ist ein Hochspannungsmacht MOSFET und ist entworfen, bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand zu haben und hohe schroffe Lawine zu haben Eigenschaften einer. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise an den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen in der Stromversorgung, IN PWM-Motorsteuerungen, in hohem leistungsfähigem DC zu DC-Konvertern und in den Brückenschaltungen benutzt.
EIGENSCHAFTEN
RDS(AN)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* schnelle Schaltungs-Fähigkeit
* Lawinen-Energie spezifiziert
* verbesserte dv-/dtfähigkeit, hohe Rauheit
Anwendung
Lastsschaltung
Stark geschaltet und Hochfrequenz umkreist unterbrechungsfreie Stromversorgung
| Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
| Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
| 5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | Rohr |
| 5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Rohr |
| 5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | Bandspule |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGSS | ±30 | V | |
| Lassen Sie Strom ab | Ununterbrochen | ID | 5,0 | A |
| Pulsiert (Anmerkung 2) | IDM | 20 | A | |
| Lawinen-Strom (Anmerkung 2) | IAR | 4,0 | A | |
| Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 80 | mJ |
| Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) | dv/dt | 3,25 | V/ns | |
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Verlustleistung |
TO-220 |
PD |
106 | W |
| TO-220F1 | 36 | W | ||
| TO-252 | 50 | W | ||
| Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °C | |
| Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
| PARAMETER | SYMBOL | VERANSCHLAGEN | EINHEIT | |
| Kreuzung zu umgebendem | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-252 | 110 | °C/W | ||
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Kreuzung zum Fall |
TO-220 |
θJC |
1,18 | °C/W |
| TO-220F1 | 3,47 | °C/W | ||
| TO-252 | 2,5 | °C/W | ||
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | EINHEIT | |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Rückseite | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
| AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID=2.5A | 2,5 | Ω | |||
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Input-Kapazitanz | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | PF | |||
| Ausgangskapazität | COSS | 60 | PF | ||||
| Rückübergangskapazitanz | CRSS | 6,5 | PF | ||||
| SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
| Gesamttor-Gebühr (Anmerkung 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V IG=100μA (Anmerkung 1, 2) | 46 | nC | |||
| Tor zur Quellgebühr | QGS | 4,6 | nC | ||||
| Tor, zum der Gebühr abzulassen | QGD | 6,0 | nC | ||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit (Anmerkung 1) | TD (AN) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (Anmerkung 1, 2) |
42 | ns | |||
| Anstiegszeit | tR | 44 | ns | ||||
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) | 120 | ns | ||||
| Abfallzeit | tF | 38 | ns | ||||
| QUELLabfluss-DIODEN-BEWERTUNGEN UND EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Maximale Körper-Dioden-stationärer Gleichstrom | IS | 5 | A | ||||
| Maximale Körper-Diode pulsierte Strom | THEORIE | 20 | A | ||||
| Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 1) | VSD | IS=5.0A, VGS=0V | 1,4 | V | |||
| Körper-Dioden-Rückseiten-Genesungszeit (Anmerkung 1) | trr |
IS=5.0A, VGS=0V, DiF/dt=100A/μs |
390 | nS | |||
| Körper-Dioden-Rückseiten-Wiederaufnahme-Gebühr | Qrr | 1,6 | μC | ||||
Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
