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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 10N60 | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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MOSFET ENERGIE 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL
BESCHREIBUNG
Das UTC 10N60K-MTQ ist ein Hochspannungsmacht MOSFET, der entworfen ist, um bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand und hohe schroffe Lawineneigenschaften zu haben. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise in den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen von Schaltnetzteilen und von Adaptern benutzt.
EIGENSCHAFTEN
RDS(AN)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A
* schnelle Schaltungsfähigkeit
* Lawinenenergie geprüft
* verbesserte dv-/dtfähigkeit, hohe Rauheit
| Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
| Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
| 10N60KL-TF3-T | 10N60KG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Rohr |
| 10N60KL-TF1-T | 10N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Rohr |
| 10N60KL-TF2-T | 10N60KG-TF2-T | TO-220F2 | G | D | S | Rohr |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGSS | ±30 | V | |
| Ununterbrochener Abfluss-Strom | ID | 10 | A | |
| Pulsierter Abfluss-Strom (Anmerkung 2) | IDM | 40 | A | |
| Lawinen-Strom (Anmerkung 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 365 | mJ |
| Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
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Verlustleistung |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °C | |
| Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
| PARAMETER | SYMBOL | VERANSCHLAGEN | EINHEIT |
| Kreuzung zu umgebendem | θJA | 62,5 | °C/W |
| Kreuzung zum Fall | θJC | 3,2 | °C/W |
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | EINHEIT | |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
| Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS = 30V, VDS = 0V | 100 | Na | ||
| Rückseite | VGS = -30V, VDS = 0V | -100 | Na | ||||
| AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS = 10V, ID = 5.0A | 1,0 | Ω | |||
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Input-Kapazitanz | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHZ | 1120 | PF | |||
| Ausgangskapazität | COSS | 120 | PF | ||||
| Rückübergangskapazitanz | CRSS | 13 | PF | ||||
| SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
| Gesamttor-Gebühr (Anmerkung 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (Anmerkung 1,2) | 28 | nC | |||
| Tor-Quellgebühr | QGS | 8 | nC | ||||
| Tor-Abfluss-Gebühr | QGD | 6 | nC | ||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit (Anmerkung 1) | TD (AN) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (Anmerkung 1,2) |
80 | ns | |||
| Drehung-auf Anstiegszeit | tR | 89 | ns | ||||
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) | 125 | ns | ||||
| Drehungs--Wegabfallzeit | tF | 64 | ns | ||||
| DRAIN-SOURCE DIODENKENNLINIEN UND MAXIMALLEISTUNGEN | |||||||
| Maximale ununterbrochene Abfluss-Quelldiode schicken Strom nach | IS | 10 | A | ||||
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Maximum pulsierte Abfluss-Quelldiode Vorwärtsstrom |
THEORIE | 40 | A | ||||
| Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 1) | VSD | VGS = 0 V, IS = 10 A | 1,4 | V | |||
Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur. Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
