Produktdetails:
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Produkt-Name: | Mosfet-Leistungstransistor | Modell: | AP25N10X |
---|---|---|---|
Satz: | SOP-8 | Markierung: | AP25N10S XXX YYYY |
VDSDrain-Quellspannung: | 100V | VGSGate-Source Spannung: | ±20V |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
Konverter AP25N10X Mosfet-Leistungstransistor-25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC
Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:
AP25N10X-Gebrauch modernes VD DIE MEISTE Technologie zu
stellen Sie niedriges RDS (AN), niedrige Torgebühr, schnelle Schaltung zur Verfügung
Dieses Gerät ist besonders entworfen, um bessere Rauheit zu erhalten
und passend, herein zu verwenden
Niedriges RDS (an) u. FOM
Extrem - niedriger Schaltungsverlust
Ausgezeichnete Stabilität und Einheitlichkeit oder Inverter
Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften
VDS =100V I D =25 A
RDS (AN) < 55m="">
RDS (AN) < 85m="">
Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung
Elektronische Motorsteuerung Stromversorgung des Verbrauchers
Synchron-Korrektur lokalisiertes DC
Synchron-Korrekturanwendungen
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
AP25N10S | SOP-8 | AP25N10S XXX YYYY | 3000 |
AP25N10D | TO-252-3 | AP25N10D XXX YYYY | 2500 |
Absolutes maximales Ratings@Tj =25 C (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Veranschlagen | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 100 | V |
VGS | Tor-Quellspannung | +20 | V |
ID@TC =25℃ | Lassen Sie Strom, VGS @ 10V ab | 25 | A |
ID@TC =100℃ | Lassen Sie Strom, VGS @ 10V ab | 15 | A |
IDM | Pulsierter Abfluss Current1 | 60 | A |
PD@TC =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 44,6 | W |
PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 2 | W |
T STG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
T J | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 |
℃ |
Rthj-c | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-Fall | 2,8 | ℃/W |
Rthj-a |
Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebend (PWB-Berg) |
62,5 | ℃/W |
Elektrisches Characteristics@Tj =25 C (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (AN) |
Statische Abfluss-Quelle auf- Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFIKATION =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Gesamttor Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 9 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerung Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 18 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 20 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Input-Kapazitanz |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 115 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 80 | - | PF | |
Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Schicken Sie auf Voltage2 nach | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Rückwiederaufnahme Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 70 | - | nC |
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 100 | - | - | V |
RDS (AN) |
Statische Abfluss-Quelle auf- Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
VGS =5V, IDENTIFIKATION =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
Qg | Gesamttor Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 3 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 9 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerung Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 18 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 20 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 5 | - | ns | |
Ciss | Input-Kapazitanz |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 115 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 80 | - | PF | |
Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
VSD | Schicken Sie auf Voltage2 nach | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
trr | Rückwiederaufnahme Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 70 | - | nC |
Anmerkungen:
1. Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur. Test 2.Pulse
3.Surface Zoll angebracht an 1
kupferne Auflage 2 des Brettes FR4
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.
7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.
8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.
Ansprechpartner: David