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Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772
Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772

Großes Bild :  Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: B772
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: -40v Grenzschichttemperatur: ℃ 150
Emitter-Basis Spannung: -5V Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Lagertemperatur: -55~150 ℃
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Energie mosfet-Transistoren

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren B772 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

 

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772 0Langsame Schaltung

 

Markierung: B772

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,5 W
RӨJA Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem 250 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100μA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= -10MA, IB=0 -30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = -100ΜA, IC=0 -6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= -40V, D.H. =0     -1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

MHZ

 
 
 

Typische Eigenschaften

 

 

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772 1

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772 2

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772 3

 

 


 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Verweis. 0,061 Verweis.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ART. 0,060 ART.
e1 3,000 ART. 0,118 ART.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 

 

 

 

KLASSIFIKATION VON hF.E.

 

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 Typische Eigenschaften

 

Hochspannungs-NPN Schalttransistor-Emitter-niedrige Spannung -5V B772 4

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Kontaktdaten
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