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3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein

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3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein

Großes Bild :  3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13001B
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein

Beschreibung
PC: 0.75W VCEO: 420V
VCBO: 600v Produktname: Halbleitertriodenart
TJ: 150 ° C Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Spitzen-Reihentransistoren

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren 3DD13001B TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Ÿ-Energie-Schaltungsanwendungen

 

 

MARKIERUNG

Code 13001=Device

S 6B=Code

 

3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
3DD13001B TO-92 Masse 1000pcs/Bag
3DD13001B-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 600 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 420 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 7 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 0,2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,75 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55 ~150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= 100μA, D.H. =0 600     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100μA, IC=0 7     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 600V, D.H. =0     100 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 400V, IB=0     200 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=7V, IC=0     100 μA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE= 20V, IC= 20mA 14   29  
  hFE (2) VCE= 10V, IC= 0,25 MA 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= 50mA, IB= 10 MA     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= 50 MA, IB= 10mA     1,2 V
Übergangsfrequenz fT

VCE= 20V, IC=20mA

f = 1MHz

8     MHZ
Abfallzeit tf

 

IC=50mA, IB1=-IB2=5mA, VCC=45V

    0,3 μs
Lagerzeit tS       1,5 μs

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Strecke 14-17 17-20 20-23 23-26 26-29

 

 

 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

3DD13001B NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte VCEO 420V ein 1

 

 

Kontaktdaten
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