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Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V
Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V

Großes Bild :  Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13002B
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V

Beschreibung
VCBO: 600v VCEO: 400V
Kollektor-Basis-Spannung: 6v Produktname: Halbleitertriodenart
Energie Mosfet-Transistor: TO-92 Plastik-kapseln ein Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren 3DD13002B TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Energie-Schaltungs-Anwendungen

 

 

MARKIERUNG

Code 13002B=Device

Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät

XXX=Code

 

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
3DD13002B TO-92 Masse 1000pcs/Bag
3DD13002B-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 600 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 0,8 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,9 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55 | 150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

 

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 1

Parameter

Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal

 

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 2

Einheit

Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=100μA, D.H. =0 600     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100μA, IC=0 6     V

 

Kollektorsperrstrom

ICBO VCB= 600V, D.H. =0     100 µA
  ICEO VCE= 400V, IB=0     100 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 6 V, IC=0     100 µA

 

Urrent Gewinn DCs c

hFE1 VCE= 10 V, IC=200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC=0.25mA 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHZ

Abfallzeit tf

 

IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

    0,5 µs
Lagerzeit ts       2,5 µs

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Strecke 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Typische Eigenschaften

Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 3Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 4Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 5Der hohen Leistung 3DD13002B niedrige Sättigungs-Spannung des Transistor-Stromkreis-VCEO 400V 6

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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