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Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W

Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W
Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W

Großes Bild :  Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13003
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W

Beschreibung
VCBO: 700V VCEO: 400V
Emitter-Basis Spannung: 9V Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorableitung: 1.25W Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-251-3L Plastik-kapseln Transistoren 3DD13003 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Energie-Schaltungs-Anwendungen

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 700 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 9 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1,5 A
PC Kollektor-Ableitung 1,25 W
TJ, Tstg Kreuzung und Lagertemperatur -55~+150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V Ic= 10 MA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 9     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 700V, D.H. =0     1 MA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=1A, IB= 250 MA     0,6 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Grundsenderspannung VBE IE= 2A     3 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHZ

Abfallzeit tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Lagerzeit ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Rang              
Strecke 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

KLASSIFIKATION VON TS

 

Rang A1 A2 B1 B2
Strecke 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Typische Eigenschaften

 

 Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W 0Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W 1Transistor-Schalter 3DD13003 NPN, Kollektor-Ableitung der Spitzen-Reihen-Transistor-1.25W 2
 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Min. Maximum. Min. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 ART. 0,091 ART.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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