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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 6N60 | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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N-KANAL-ENERGIE MOSFET 6N60 Z 6.2A 600V
Das UTC 6N60Z ist ein Hochspannungsmacht MOSFET und ist entworfen, bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand und hohe schroffe Lawineneigenschaften zu haben. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise an den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen in den Schaltnetzteilen und in den Adaptern benutzt.
EIGENSCHAFTEN
RDS(AN)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A
* schnelle Schaltungsfähigkeit
* Lawinenenergie geprüft
* verbesserte dv-/dtfähigkeit, hohe Rauheit
| Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
| Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
| 6N60ZL-TF3-T | 6N60ZG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Rohr |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGSS | ±20 | V | |
| Lawinen-Strom (Anmerkung 2) | IAR | 6,2 | A | |
| Ununterbrochener Abfluss-Strom | ID | 6,2 | A | |
| Pulsierter Abfluss-Strom (Anmerkung 2) | IDM | 24,8 | A | |
| Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 252 | mJ |
| Sich wiederholend (Anmerkung 2) | OHR | 13 | mJ | |
| Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt (Anmerkung 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
| Verlustleistung | PD | 40 | W | |
| Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °C | |
| Betriebstemperatur | TOPR | -55 | +150 | °C | |
| Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
| PARAMETER | SYMBOL | VERANSCHLAGEN | EINHEIT |
| Kreuzung zu umgebendem | θJA | 62,5 | °C/W |
| Kreuzung zum Fall | θJC | 3,2 | °C/W |
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | EINHEIT | |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
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Abfluss-Quelldurchsickern-Strom |
IDSS |
VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C | 100 | μA | |||||
| Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS = 20V, VDS = 0V | 10 | μA | ||
| Rückseite | VGS = -20V, VDS = 0V | -10 | μA | ||||
| Durchbruchsspannungs-Temperatur-Koeffizient | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, bezogen zu 25°C | 0,53 | V/°C | |||
| AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS = 10V, ID = 3.1A | 1,4 | 1,75 | Ω | ||
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Input-Kapazitanz | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHZ | 770 | 1000 | PF | ||
| Ausgangskapazität | COSS | 95 | 120 | PF | |||
| Rückübergangskapazitanz | CRSS | 10 | 13 | PF | |||
| SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (AN) |
VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω (Anmerkung 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Drehung-auf Anstiegszeit | tR | 95 | 110 | ns | |||
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) | 185 | 200 | ns | |||
| Drehungs--Wegabfallzeit | tF | 110 | 125 | ns | |||
| Gesamttor-Gebühr | QG | VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A IG=100μA (Anmerkung 1, 2) | 32,8 | nC | |||
| Tor-Quellgebühr | QGS | 7,0 | nC | ||||
| Tor-Abfluss-Gebühr | QGD | 9,8 | nC | ||||
| DRAIN-SOURCE DIODENKENNLINIEN UND MAXIMALLEISTUNGEN | |||||||
| Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung | VSD | VGS = 0 V, IS = 6,2 A | 1,4 | V | |||
| Maximale ununterbrochene Abfluss-Quelldiode schicken Strom nach | IS | 6,2 | A | ||||
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Maximum pulsierte Abfluss-Quelldiode Vorwärtsstrom |
THEORIE | 24,8 | A | ||||
| Rückgenesungszeit | trr |
VGS = 0 V, IS = 6,2 A, DiF/dt = 100 A/μs (Anmerkung 1) |
290 | ns | |||
| Rückwiederaufnahme-Gebühr | QRR | 2,35 | μC | ||||
Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur. Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
