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Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

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Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

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Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

Großes Bild :  Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: G120P06LR1D
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor V DSS-Abfluss-Quellspannung: -60 V
V GSS-Tor-Quellspannung: ±20 V Maximale Grenzschichttemperatur T J: 175°C
Lagertemperaturbereich T STG: °C -55 bis 175 I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): -55A
Markieren:

Logik mosfet-Schalter

,

mosfet-Fahrer

Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N

 

Mosfet-Leistungstransistor-Einleitung

 

Mosfet-Technologie ist für Gebrauch in vielen Energieanwendungen ideal, in denen der niedrige Schalter auf Widerstand hohen Stufen von Leistungsfähigkeit ermöglicht erreicht zu werden.

Es gibt einige unterschiedliche Vielzahl von Energie MOSFET verfügbar von den verschiedenen Herstellern, von jedem mit seinen eigenen Eigenschaften und von den Fähigkeiten.

Viele Energie MOSFETs enthalten eine vertikale Strukturtopologie. Dieses ermöglicht hoher gegenwärtiger Schaltung mit hoher Leistungsfähigkeit innerhalb eines verhältnismäßig kleinen sterben Bereich. Es ermöglicht auch dem Gerät, gegenwärtige und der Spannung Schaltung zu stützen hoch.

 

Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaft

 

-60V/-55A
R DS (AN) = 12.5mΩ (Art.) @ V GS = -10V
R DS (AN) = 18mΩ (Art.) @ V GS = -4.5V
100%avalanche geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen frei und grünes DevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

Mosfet-Leistungstransistor-Anwendungen

 

Energie-Management in DC-/DCkonverter.

Lastsschaltung.

Motorsteuerung.

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen

 

D U V

G120P06L G120P06L G120P06L

 

Paket-Code

 

D: TO-252-2L U: TO-251-3L
V: TO-251-3S

 

Datums-Code

 

Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% Lechzinn plateTermi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert „Grün“
zu bleifreies (RoHS konform) und das Halogen bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht in homogenem
materiell und total vom Br und vom Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
- oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.

 

Absolute Maximalleistungen

 

Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N 0

Kanal Mosfet-Transistor Anreicherungstyp Mosfet-Leistungstransistor-/N 1

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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