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Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N
Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

Großes Bild :  Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP3N10BI
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

Beschreibung
Produktname: N-Kanal Mosfet-Energie Modell: AP3N10BI
Markierung: MA4 Satz: SOT23
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N

 

N-Kanal Mosfet-Energie Funktion und Eigenschaften

 

Der Bau des Energie MOSFET ist in den V-Konfigurationen, wie wir in der folgenden Zahl sehen können. So wird das Gerät auch als das V-MOSFET oder das V-FET genannt. Das v, welches die Form von Energie MOSFET geschnitten wird, um von der Gerätoberfläche einzudringen, ist fast zum N+-Substrat zum N+, zum P und zum N – Schichten. Die N+-Schicht ist die schwer lackierte Schicht mit einem niedrigen widerstrebenden Material und die n-Schicht ist eine leicht lackierte Schicht mit der hohen Widerstandregion.

 

N-Kanal Mosfet-Energie-Eigenschaften

 

 

VDS= 100V I D=2.8 A

 

 

RDS (AN)< 320m="">

 

N-Kanal Mosfet-Energie-Anwendung

 

Batterieschutz

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP3N10BI SOT23 MA4 3000

 

Absolute Maximalleistungen (TC=25℃ wenn nicht anders angegeben)

 

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 100 V
VGS Tor-Sou rce Spannung ±20 V
ID@TA =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 2,8 A
ID@TA =70℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 1 A
IDM Pulsierter Abfluss Current2 5 A
℃ PD@TA =25 Gesamtleistung Dissipation3 1 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 125 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 80 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften (℃ TJ =25, wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,067 --- V/℃
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=1A --- 260 310

 

VGS=4.5V, I D=0.5A --- 270 320
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VGS=VDS, I =250UA 1,0 1,5 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th)   --- -4,2 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 MA
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 5 MA
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=1A --- 2,4 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2,8 5,6  
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 9,7 13,6  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 1,6 2,2
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 1,7 2,4
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

RG=3.3

ID=1A

--- 1,6 3,2

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 13,6 27
Tf Abfallzeit --- 19 38
Ciss Input-Kapazitanz   --- 508 711  
Coss Ausgangskapazität --- 29 41
Crss Rückübergangskapazitanz --- 16,4 23
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,4 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 1,2 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,4 --- --- 5 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit IF=1A, dI/dt=100A/µs, --- 14 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 9,3 --- nC
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,067 --- V/℃
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=1A --- 260 310

 

VGS=4.5V, I D=0.5A --- 270 320
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VGS=VDS, I =250UA 1,0 1,5 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th)   --- -4,2 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 MA
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 5 MA
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=1A --- 2,4 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 2,8 5,6  
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 9,7 13,6  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 1,6 2,2
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 1,7 2,4
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

RG=3.3

ID=1A

--- 1,6 3,2

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 13,6 27
Tf Abfallzeit --- 19 38
Ciss Input-Kapazitanz   --- 508 711  
Coss Ausgangskapazität --- 29 41
Crss Rückübergangskapazitanz --- 16,4 23
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,4 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 1,2 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,4 --- --- 5 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit IF=1A, dI/dt=100A/µs, --- 14 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 9,3 --- nC

 

Anmerkung:

Daten 1.The prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde. Daten 2.The prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦300us, Arbeitszyklus ≦2%

Verlustleistung 3.The wird durch 150 ℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

 

4. Die Daten sind theoretisch die selben, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.

Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N 0

 

 

Symbol

Maße in den Millimeter
MIN. MAXIMUM.
A 0,900 1,150
A1 0,000 0,100
A2 0,900 1,050
b 0,300 0,500
c 0,080 0,150
D 2,800 3,000
E 1,200 1,400
E1 2,250 2,550
e 0.950TYPE
e1 1,800 2,000
L 0.550REF
L1 0,300 0,500
θ

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

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