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AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor
AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

Großes Bild :  AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP12N10D
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

Beschreibung
Produktname: Netzschaltertransistor Modell: AP12N10D
Satz: TO-252 Markierung: AP12N10D
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor

 

Allgemeine Beschreibung:

 

Die moderne Grabentechnologie AP12N10D-Gebrauches
zu ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen und
Operation mit den Torspannungen so niedrig wie 4.5V. Dieses
Gerät ist für Gebrauch als a passend
Batterieschutz oder in anderer Schaltungsanwendung.

 

Allgemeine Eigenschaften

 

VDS = 100V IDENTIFIKATION = 5A
RDS (AN) < 140m="">

 

 

Anwendung

 

Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP12N10D TO-252 AP12N10D 3000

 

Absolute Maximalleistungen an Tj=25℃ wenn nicht anders vermerkt

 

Parameter Symbol Wert Einheit
Lassen Sie Quellspannung ab VDS 100 V
Gate-Source-Spannung VGS ±20 V
Ununterbrochener Abflussstrom, ℃ TC=25 Identifikation 12 A
Pulsierter Abflussstrom, ℃ T =25 Identifikation, Impuls 24 A
Verlustleistung, ℃ T C=25

P

D

17 W
Sondern Sie pulsierte Lawinenenergie 5) aus EAS 1,2 mJ
Operation und Lagertemperatur Tstg, Tj -55 bis 150
Thermischer Widerstand, Kreuzungfall RθJC 7,4 ℃/W
Thermischer Widerstand, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften am ℃ Tj=25 wenn nicht anders angegeben

 

Symbol Parameter Testbedingung Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Torschwellenspannung V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

Tor-Quelldurchsickernstrom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Abfluss-Quelldurchsickernstrom VDS=100 V, VGS=0 V     1 MA
Ciss Inputkapazitanz V =0 V,   206,1   PF
Coss Ausgangskapazität   28,9   PF
Crss Rückübergangskapazitanz   1,4   PF
TD (an) Einschaltverzögerungszeit

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Anstiegszeit   3,5   ns
TD (weg) Abschaltverzögerungszeit   20,9   ns

t

f

Abfallzeit   2,7   ns
Qg Gesamttorgebühr     4,3   nC
Qgs Tor-Quellgebühr   1,5   nC
Qgd Tor-Abflussgebühr   1,1   nC
Vplateau Torhochebenenspannung   5,0   V
IST Diode schicken Strom nach

 

VGS

    7

 

A

ISP Pulsierter Quellstrom     21
VSD Diodenvorwärtsspannung IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

Eisenbahn

Rückgenesungszeit     32,1   ns
Qrr Rückwiederaufnahmegebühr   39,4   nC
Irrm Höchstsperrverzögerungsstrom   2,1   A
Symbol Parameter Testbedingung Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Torschwellenspannung V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

Tor-Quelldurchsickernstrom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Abfluss-Quelldurchsickernstrom VDS=100 V, VGS=0 V     1 MA
Ciss Inputkapazitanz V =0 V,   206,1   PF
Coss Ausgangskapazität   28,9   PF
Crss Rückübergangskapazitanz   1,4   PF
TD (an) Einschaltverzögerungszeit

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Anstiegszeit   3,5   ns
TD (weg) Abschaltverzögerungszeit   20,9   ns

t

f

Abfallzeit   2,7   ns
Qg Gesamttorgebühr ID=5 A,
VDS=50 V,
VGS=10 V
  4,3   nC
Qgs Tor-Quellgebühr   1,5   nC
Qgd Tor-Abflussgebühr   1,1   nC
Vplateau Torhochebenenspannung   5,0   V
IST Diode schicken Strom nach

 

VGS

    7

 

A

ISP Pulsierter Quellstrom     21
VSD Diodenvorwärtsspannung IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

Eisenbahn

Rückgenesungszeit IS=5 A, di/dt=100
A/μs
  32,1   ns
Qrr Rückwiederaufnahmegebühr   39,4   nC
Irrm Höchstsperrverzögerungsstrom   2,1   A

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: David

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